【文献解读】阿德莱德大学JACS：富缺陷NiPS3纳米片促进塑料垃圾光转化

第一作者和单位：Shuai Zhang阿德莱德大学

通讯作者和单位：Jingrun Ran阿德莱德大学，Shi-Zhang Qiao阿德莱德大学

可持续地转化塑料废物以减轻环境威胁和回收废物价值是十分重要的。环境条件光转化在将废物转化为氢气（H₂）方面具有实际吸引力；然而，由于质子还原和底物氧化之间的相互制约，它的性能很差。本研究利用富缺陷硫属化合物纳米片偶联光催化剂（如d-NiPS₃/CdS）实现了协同光氧化还原，在9 h内获得了~ 40 mmol g_cat⁻¹ h⁻¹的超高析氢速率和高达78 μmol的有机酸产率，并在100 h以上的时间内对商业废塑料聚乳酸和聚对苯二甲酸乙酯进行光重整。这些指标代表了最有效的塑料光重整报告之一。原位超快光谱研究证实了电荷转移介导的反应机制，其中d-NiPS₃快速从CdS中提取电子以促进H₂的演化，有利于空穴主导的底物氧化，从而提高整体效率。这项工作为将塑料废物转化为燃料和化学品开辟了实际途径。

据估计，全球已生产了83亿吨塑料，其中80%以上仍存在于垃圾填埋场和水生系统中。为了解决塑料污染对环境的威胁和从聚合物废物中回收价值，开发了一系列回收和升级再利用技术；然而，这些技术实际上仍然有限。例如，塑料热解可以从塑料废物中提取燃料，但这只能通过大量能量输入和废气排放的热加工来实现。最近，Reisner等人报道了一种“绿色和温和”的环境温度下的极性塑料光重整，其中使用阳光和光催化剂来产生氢气（H₂）和塑料衬底氧化。尽管在概念和方法上取得了进步，但缺点是生产和转换效率低。

塑料光重整的实际难点是同步光氧化还原反应效率低、稳定性差。这源于显著的载流子重组和缓慢的表面反应。在“理想的”光重整中，由阳光激发的光催化剂产生的电子和空穴转移到表面并参与氧化还原反应。这些涉及复杂衬底转换的多步骤通常比不希望的电子-空穴复合慢，时间尺度<微秒。这导致较少的电子和空穴可用于表面反应，限制了光重整性能。高效的还原反应，即析氢反应（HER），对调节整体性能至关重要；然而，在塑料基板所需要的“恶劣”条件下，它不容易实现有限的质子供应和缓慢的底物氧化阻碍了光催化剂的活性和稳定性。为了解决这个问题，需要能够在时空上分离电子/空穴并引起HER和塑性氧化的协同耦合的光重整。

NiPS₃纳米片具有大比表面积和活性边缘S/P位点的特点。空位缺陷的引入激活了基面位并调整了电子结构以促进电荷分离/转移，使NiPS₃纳米片成为光重整的理想选择。最初通过在乙醇中机械剥离大块NiPS₃获得纳米片。通过绿色高效的Ar等离子体技术引入空位缺陷，形成d-NiPS₃纳米片。鉴于CdS具有良好的光吸收性能和良好的氧化性能，采用水热法合成了CdS作为一种常见的光催化剂（光吸收剂）。采用静电自组装法制备了d-NiPS₃/CdS。将NiPS₃纳米片与CdS结合得到NiPS₃/CdS。

d-NiPS₃/CdS的高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）成像证实，Cd纳米颗粒（尺寸约为11 ~ 40 nm）均匀地负载在d-NiPS₃纳米片上（图1a）。d-NiPS₃纳米片在d-NiPS₃/CdS中的原子分辨率高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）成像显示两个晶格间距分别为0.288和0.140 nm，夹角为92°（图1b）。这一发现与单斜NiPS₃的（1−20）和（300）平面一致。在d-NiPS₃基面上，根据沿两条线的原子强度谱可以识别出S空位（Sv）（图1c）。图1d显示了d-NiPS₃/CdS中的纳米颗粒，其面间距为0.340 nm，分配给立方CdS的（111）面。原子力显微镜（AFM）显示d-NiPS₃纳米片的厚度为~ 2.8 nm，接近NiPS₃纳米片的厚度为~ 2.9 nm，证实了材料的厚度不受等离子体处理的影响（图1e和S1）。能量色散光谱（EDS）映射强调了Ni、P、S和Cd在d-NiPS₃/CdS复合材料中的均匀分布（图1f）。电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）证实NiPS₃/CdS中的Ni含量（2.03 wt %）与d-NiPS₃/CdS中的Ni含量（1.93 wt %）相似（表S1）。综上所述，这些结果证实了d-NiPS₃/CdS的合成。

NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS的x射线衍射（XRD）图显示立方CdS的衍射峰和单斜NiPS₃的（001）衍射峰（图2a）。d-NiPS₃/CdS的（001）峰的轻微偏移证明了纳米片中空位缺陷引起的结构拉伸。NiPS₃和d-NiPS₃纳米片的拉曼光谱证实了4个面内Eg和3个面外A1g声子模式（图2b）。一个高频率A1g和低频模式(Eg（1)和Eg(2)）分别归因于（P₂S₆）4−单元的分子内振动和涉及Ni原子的振动与NiPS3纳米片相比，d- NiPS₃纳米片的拉曼模式转移到更低的频率，这表明d- NiPS₃纳米片的局部结构发生了变化，与XRD结果一致。

此外，相对于NiPS₃纳米片，d- NiPS₃纳米片表现出更强的电子顺磁共振（EPR）信号，证实了等离子体处理引入Sv的存在（图2c）观测到的EPR信号的g值为2.003，这是由Sv附近的未配对电子引起的，这些电子影响了附近原子的化学态。x射线光电子能谱（XPS）和x射线吸收近边缘能谱（XANES）加强了这一点。如图2d所示，与NiPS₃相比，dNiPS₃的S 2p峰明显向低结合能方向移动。这种结合能的降低很可能与由于电子浓度增加而产生的更强的电子屏蔽效应有关。从XANES来看，与NiPS₃/CdS相比，d-NiPS₃/CdS的Ni L边缘负移到更低的能量（图2e）。研究结果证实，Sv使纳米片中的S和Ni原子具有富电子性质。相比之下，NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS的Cd 3d峰和S - K边缘没有明显变化，很可能是因为Cd的数量明显大于NiPS₃或d-NiPS₃（图S2）。

为了确定NiPS₃和d-NiPS₃中的缺陷类型，将正电子湮没光谱（PAS）数据与光谱中的三个正电子寿命参数拟合（图2f和表S2）。据报道，寿命最长的成分（τ3 = 2.1 ~ 2.2 ns）可归因于范德华间隙或晶界，而寿命较短的τ2 （378 ~ 379 ps）成分来自团簇状空位。最短寿命（τ1 = 231−237 ps）分量表示原子空位中的湮灭，包括Sv。不同缺陷的分布和数量可以通过拟合寿命τ1和τ2的相对强度，例如I1/I2来确定。d-NiPS₃的I1/I2 = 0.75大于NiPS₃的I1/I2 = 0.68，表明d-NiPS₃纳米片中的原子空位缺陷浓度明显大于NiPS₃纳米片中的原子空位缺陷浓度，这与表征结果一致。

UV- vis漫反射光谱（UV- drs）证实CdS的可见光吸收带隙为2.15 eV（图S3a）。CdS的能带结构通过Mott - Schottky （MS）分析和XPS价带（VB）谱确定（图S3b，c）。CdS的平带电位为- 0.80 V vs Ag/AgCl电极，费米能级校准的VB边电位为1.37 V vs标准氢电极（SHE）。因此，CdS的导带（CB）边根据其带隙和VB边确定为- 0.78 V vs SHE。测定了d-NiPS₃和NiPS₃的能带对向，发现d-NiPS₃的带隙较窄，为1.32 eV，费米能级能量为0.01 V vs SHE，而NiPS₃的带隙为1.42 eV，费米能级能量为0.04 V vs SHE（图S3d−h）。这一比较发现源于Sv引起的缺陷状态，它缩小了带隙并提高了电子导电性。三种材料的能带结构总结在图S3i中。具有优化结构性能和CdS的d-NiPS₃纳米片表现出良好的光吸收，因此有望提供更好的塑料光重整。

为了建立光催化性能，对NiPS₃负载和等离子体化处理进行了优化，在~ 17 vol %的三乙醇胺溶液中，优化了氢气的产率（表S3和S4）。由于塑料包装在全球范围内的广泛应用，选择PLA和PET作为反应底物，在KOH水溶液中进行预处理。随后，对NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS这两种光催化剂在全光谱或可见光照射下的塑料光转化性能进行了评估。根据d-NiPS₃/CdS的产氢活性对底物浓度进行优化（表S5）。在光转化的第一个小时（PLA = 10 mg·mL⁻¹），dNiPS₃/CdS的H₂产量最高，为39.76 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹，分别比裸CdS的0.92 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹和NiPS₃/CdS的26.68 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹提高了43倍和1.5倍（图3a）。类似的发现是，d-NiPS₃/ CdS (31.38 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹)> NiPS₃/CdS (17.57 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹)> CdS (0.78 mmol·g_cat⁻¹·h⁻¹)，PET光转化为H₂（图3b）。对照实验的结果证实，在没有光催化剂、光、塑料底物或光吸收剂的情况下，H₂可以忽略不计（图S4）。由于Cd的吸光特性，d-NiPS₃/Cd保留了ca。可见光激发下（λ > 400 nm） H₂产量为60%。d-NiPS₃/CdS在λ = 365 nm处PLA和PET的表观量子效率分别为2.83%和1.14%，在λ = 475 nm处PLA和PET的表观量子效率分别为0.36%和0.16%。

除去d-NiPS₃产生的电子和空穴的贡献，在630 nm LED照射的d-NiPS₃/CdS中检测不到H₂（图S3d）PLA和PET产生的H₂随着光照时间的增加（几乎）呈线性增加，并在三次运行中保持活性（图3a，b）。循环试验后，d-NiPS₃/CdS的相结构和形态未见明显变化（图S5）。这些结果证实了d-NiPS₃ /CdS光催化剂在塑料光重整中的优异稳定性。通过长期稳定的光重整从塑料废弃物中提取清洁的氢燃料具有重要的现实意义。d-NiPS₃/CdS在PLA杯和PET瓶的光重整过程中表现出了>100 h的H₂演化（图3c）中表现出了非常显著的性能。制备了薄膜d-NiPS₃/CdS光催化剂，并将其用于聚乳酸的光重整。光照前未产生可检测的H₂；然而，在照明下观察到H₂气泡（图3d）。这些发现证明了d-NiPS₃/CdS光催化剂具有很高的应用潜力。

底物氧化主要与乳酸（LA）或乙二醇（EG）的转化有关。这两种单体在预处理过程中被释放出来，可以通过1h NMR谱进行分离（图S6a，c）。预处理后，PLA中约83%的乳酸和PET中44%的乙二醇被释放（表S6）。PLA光重整9 h后，d-NiPS₃/CdS在碱性条件下生成了13.6 μmol的乙酸酯和64.5 μmol的丙酮酸酯基产物，包括丙酮酸酯及其衍生物（图3e和S6b）。有机酸的总产率高达78.1 μmol，证明了塑料底物在d-NiPS₃/Cd上的有效转化，重要的是，在这些条件下，代表了优异的塑料光转化性能，参见报告的发现（表S7）。PET基板光重整产物为甲酸酯，23.6 μmol；醋酸，13.8 μmol；乙醇酸25.0 μmol（图3f和S6d）。PET光重整的氧化量较低（总氧化量= 62.4 μmol），可能是因为采用碱性溶液中的42个标准样品对检测产物进行鉴定（图S7），空位缺陷与塑料基材的转化呈正相关。当用d-NiPS₃/CdS代替NiPS₃/CdS时，PLA和PET的氧化产物增加（图3e，f）。此外，CdS催化底物氧化，产物分布与复合样品相似。这意味着衬底氧化主要发生在CdS上，而不是纳米片上PET瓶和PLA杯产生一系列类似于商业塑料的氧化产物，如图3g中的1h NMR光谱所示（图S8a，b）。反应溶液中检测到过氧化产物CO₂，主要以碳酸盐形式存在（图S8c）。光重整3 h后，气体CO₂没有明显产生，通过离子色谱法测定了碳酸酯的产率：PLA为30.7 μmol， PET为13.1 μmol。

鉴于d-NiPS₃/CdS具有优异的光催化性能，对其活性提高的原因进行了定量分析。根据UV-DRS，与CdS相比，NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS在~ 525−800 nm范围内的光吸收显著增强（图4a）。然而，d-NiPS₃增强的光吸收并没有促进d-NiPS₃/CdS的H₂生成活性，因为在630 nm辐照的反应中没有检测到H₂（图S4）。此外，NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS表现出相似的光吸收特征（图4a），证明光吸收不是造成光催化活性差异的原因。

通过一系列原位和时间分辨表征研究了光催化剂中的电荷分离/转移。图4b为样品的瞬态光致发光（PL）光谱和相应的双指数拟合结果。d-NiPS₃/CdS的平均寿命τave = 0.28 ns，大于CdS （τave = 0.24 ns）和NiPS₃/CdS （τave = 0.25 ns）。这一发现证实了d-NiPS₃可以抑制电荷重组。光电流响应强调了这一点，其中d-NiPS₃/CdS表现出最大的光电流密度，证明d-NiPS₃促进了电子转移（图S9a）。为了确定电子转移途径，光照射XPS。在光照下，dips₃/CdS的Ni 2p峰发生了0.43 eV的负位移（图4c），同时Cd 3d的结合能发生了正位移（图S9b），表明电子从CdS向dips₃纳米片迁移。对于NiPS₃/CdS，在光照下，Ni 2p峰向较低结合能方向移动仅0.1 eV（图S9c，d）。这些发现证实，与原始NiPS₃相比，d-NiPS₃更有效地从cd中提取电子，导致d-NiPS₃上积累了更多可用于还原的电子。采用开尔文探针力显微镜（KPFM）评价了dips₃ /CdS的电荷输运行为。图4d - f显示了纳米颗粒/纳米片复合材料的地形结构以及在黑暗和光照下相应的表面电位图。表面电位越负的变化反映了所选区域中光诱导电子的浓度越高。通过对纳米颗粒/纳米片界面的线性扫描分析（图4e，f）， cd和d-NiPS₃之间的表面电位差在光照前后从- 5.65 mV变化到- 9.94 mV（图4g）。这一发现证实了电子从CdS到dips₃纳米片的转移，并且与光照射XPS的结果一致。

电子在d-NiPS₃表面的积累是还原的先决条件；然而，在dips₃上有足够的活性位点来操纵电子从而产生有效的还原也是同样重要的。由于NiPS₃的催化作用，当NiPS₃纳米片与CdS结合时，HER的起始电位正偏移，如线性扫描伏安曲线（图4h）所示。当引入d-NiPS₃纳米片时，这种情况进一步改变，证明与NiPS₃/ cd相比，d-NiPS₃/ cd上的HER活性更高。这种增强的HER活动是通过计算预测的（图S10和S11）。与原始NiPS₃/CdS相比，d-NiPS₃/CdS中d-NiPS₃原子层上靠近Sv的P和S原子与H*中间体具有更有利的相互作用（图4i）。根据Brunauer - Emmett - Teller （BET）测试，表面积和孔容对NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS的氧化还原反应没有明显影响（表S1）。因此，d-NiPS₃通过加速电荷转移和暴露更多活性位点来促进光催化剂的H₂演化。

为了确定d-NiPS₃对底物氧化的作用，通过瞬态吸收（TA）光谱获得了CdS、NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/ CdS在超快时间尺度上的电荷转移动力学。如图5a所示，CdS光激发后在508 nm处出现明显的负光漂白（PB）特征，在460 nm处出现正光诱导吸收（PA）峰。PB信号来源于与VB到cb44t的光致电荷跃迁相对应的1∑激子带，其与UV-DRS光谱中的带边吸收一致（图4a）。电子清除剂苯醌（BQ）的加入在能级排列上显著降低了PB信号，说明CdS的PB信号主要是电子的状态填充，而不是空穴的贡献，这是因为空穴能级的高简并性（图S12a，d）。因此，基于cd的样品中的PB信号及其动力学证实了系统中电子的演化。在添加LA时，类似的衰减也很明显，表明在LA存在时的电荷消耗（图S12b，d）。然而，加入EG后，基态漂白的动态衰减（几乎）没有变化，这表明EG比LA更“硬”氧化（图S12c，d）。这一发现在630 nm的TA动态特征中得到了强调，该特征被Na₂SO₃（一种孔洞清除剂）淬灭，因此主要来源于孔洞（图S13a）。这与报道的CdS纳米材料的发现一致。归一化TA动力学在LA中衰减，但在加入EG后几乎保持不变（图S13b，c），表明EG氧化缓慢。

NiPS₃/CdS和d-NiPS₃/CdS的TA光谱显示电子信号猝灭，证明电子从CdS直接转移到纳米片（图5b、c和S13d）。50,52根据归一化衰变曲线的拟合结果，对三种光催化剂中光致电子的详细动力学进行了解析（图5c和表S8）。CdS的寿命τ1 = 8.9、τ2 = 134和τ3 = 1847 ps分别归因于电子捕获、电子与被捕获空穴的复合以及电子与空穴在VB边缘的复合。与cd和NiPS₃/ cd相比，d-NiPS₃/ cd的寿命最短（τ1 = 4.9 ps）。这种猝灭可以解释为从CdS到d-NiPS₃的界面电子转移，其中NiPS₃/ CdS的转移速度更快，为9.0 × 1010 s−1 cf. 5.0 × 1010 s−1，这表明d-NiPS₃纳米片的电子提取效率很高。此外，d-NiPS₃/ CdS的τ2和τ3分别显著降低至68和1333 ps。原因是大多数电子迁移到d-NiPS₃，这允许更少的电子参与带间复合，并且更多的捕获态或VB中幸存的空穴可用于衬底氧化。此外，d-NiPS₃/CdS的平均寿命（τave = 311 ps）比cd和NiPS₃/CdS短，证实了d-NiPS₃促进了电子转移理论计算证实了这种快速的电子穿梭。通过向d-NiPS₃/ cd中添加电子，模拟了d-NiPS₃/cd中光致电荷的再分布。差分电荷密度分析表明，界面电子密度下降，同时d-NiPS₃表面电子密度增加（图5d），证实了电子从CdS向d-NiPS₃的转移。此外，Bader电荷分析表明，模拟电子倾向于迁移到d-NiPS₃纳米片上，约占总电子的96%，并且d-NiPS₃中每个原子的平均转移电荷为0.31 cf，无缺陷NiPS₃的平均转移电荷为0.26 cf。

d-NiPS₃诱导的高效电子转移抑制了CdS内的电荷重组，并显著提高了空穴浓度，这是高效底物氧化所必需的。在这种情况下，EG的加入导致衬底和d-NiPS₃/CdS之间的电荷转移，例如空穴消耗，这一发现与d-NiPS₃/CdS的光谱衰减一致（图5e和S14a，b）。由于dips₃在其他波长表现出轻微的基态漂白（图S14c），因此TA光谱可以检测CdS本身或复合材料中CdS部分的电子信号。

在模拟反应溶液（2m KOH）中测定TA光谱（图S15）。在中性和碱性溶液中，光催化剂表现出相似的电荷动态衰减，这表明在模拟反应中，TA光谱表现出光催化剂内部以及光催化剂与底物之间的电荷转移。dips₃ /CdS的电荷转移反应示意图如图5f所示。由于LA的易氧化性，CdS的表面空穴对LA保持高活性。LA的转化，或PLA光重整，并不主要依赖于CdS电子的提取所产生的高空穴通量相反，由于竞争性电荷重组，残存的空穴对EG的缓慢氧化导致总产率较低。因此，d- NiPS₃促进的电子转移对于保持高可用性的CdS空穴用于EG转换或PET光转化是重要的。

分析了随时间变化的光重整氧化产物，确定了反应机理。在PLA光重整9小时内，丙酮酸不断生成，乙酸缓慢增加（图S16a）。乳酸的α羟基脱氢生成丙酮酸作为中间体；然而，下一步脱羧实际上很难形成乙酸。对于PET，随着光反应时间的延长，一系列产物积累，证明形成潜在的中间乙醇酸盐（图S16b）。为了确定中间体，对起始底物EG、乙醇酸和乙二醛进行了比较实验。从图S16c、d可以看出，NiPS₃ /CdS产氢的顺序为乙二醛>乙醇酸> EG。然而，乙二醛氧化产生的甲酸明显少于其他底物（图S16d）。因此，乙醇酸盐是转化为甲酸盐的主要中间体。在3 h光重整的产物分析中（图3和S16a、b）， PET和PLA光重整产生的H₂和氧化产物（即有机酸和CO₂）的数量遵循还原和氧化之间的化学计量。 EPR光谱显示，辐照前后d-NiPS₃/CdS中羟基自由基信号不明显，但d-NiPS₃/TiO₂中羟基自由基信号明显（图S16e）。这一发现表明CdS的光诱导空穴没有足够的氧化性来产生羟基自由基，因此是厌氧条件下底物转化的主要活性物质。给出了PLA和PET光重整的可能反应路线（图S16f）。

考虑到硫族化合物丰富的非金属位点和电子萃取特性，选择了包括金属硒化物（ReSe₂）、金属碲化物（NiTe₂）和无金属黑磷(P)在内的新兴纳米片进行光重整。采用相同的方法，将d-ReSe₂、d-P和d-NiTe₂分别合成到光催化剂、d-ReSe₂/CdS、d-P/CdS和d-NiTe₂/CdS上。TEM， HAADF-STEM和这三种光催化剂的映射图证实了纳米片/CdS结构的合成（图S17−S19）。通过XRD、Raman、XPS和AFM测定了纳米片中空位缺陷引起的结构/化学状态变化以及制备的纳米片的厚度（图S20和S21）。此外，与裸cd相比，基于cd的复合材料的UV-DRS显着改善了光吸收考虑到硫族化合物丰富的非金属位点和电子萃取特性，选择了包括金属硒化物（ReSe₂）、金属碲化物（NiTe₂）和无金属黑磷(P)在内的新兴纳米片进行光重整。采用相同的方法，将d-ReSe₂、d-P和d-NiTe₂分别合成到光催化剂、d-ReSe₂/CdS、d-P/CdS和d-NiTe₂/CdS上。TEM， HAADF-STEM和这三种光催化剂的映射图证实了纳米片/CdS结构的合成（图S17−S19）。通过XRD、Raman、XPS和AFM测定了纳米片中空位缺陷引起的结构/化学状态变化以及制备的纳米片的厚度（图S20和S21）。此外，与裸cd相比，基于cd的复合材料的UV-DRS显着改善了光吸收。

高活性的d-NiPS₃纳米片可以推广到其他光催化剂（光吸收剂），包括二氧化钛（TiO₂）和氮化碳（CNx），分别生成NiPS₃/TiO₂和d-NiPS₃/CNx。两者的HRTEM图、XRD图和UV-DRS图证实了d-NiPS₃与TiO₂或CN_x的结合（图S25和26a、c）。添加d- NiPS₃后，TiO₂和CN_x的荧光发射被猝灭，证明电荷重组减少（图S26b，d）。原始的TiO₂和CN_x在光照射下对塑料光转化没有意义。将d-NiPS₃修饰的TiO₂或CN_x应用于塑料光重整中，d- NiPS₃促进的氧化还原反应对H₂的生成和底物的氧化更有效（图S23）。d-NiPS₃/ TiO₂光重整PLA的H₂产率为6.52 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹，提高了4.2倍（NiPS₃/ TiO₂为1.56 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹）。类似的发现是，d-NiPS₃/ TiO₂（5.72 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹）在PET光重整过程中H2的析出量是NiPS₃/ TiO₂ （2.22 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹）的2.6倍。与CNx相比，d-NiPS₃/CNx对PLA的H₂产量为3.31 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹，比NiPS₃/CNx的2.12 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹增加了156%。d-NiPS₃/ CNx从PET中得到的H2为1.57 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹，比NiPS₃/TiO₂的1.11 mmol g·cat⁻¹·h⁻¹高出141%。这些结果表明，高活性的d-NiPS3可以推广到其他促进塑料光重整的光催化剂上。

                                                           供稿：张幸

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