最新Nat. Commun:垂直取向低维钙钛矿用于高效宽带隙钙钛矿太阳能电池

文摘   科学   2024-10-21 21:15   北京  

控制用于太阳能电池的低维钙钛矿(LDPs)的晶体生长取向一直是挑战,尤其是对于具有宽禁带(>1.7 eV)阻碍电荷流动的低n值LDPs(n < 3,n为八面体层的数量)。帕维亚大学Giulia Grancini研究团队通过向前驱体溶液中加入氯来诱导垂直晶体生长,从而克服了这种传输限制。与三维卤化物钙钛矿(APbX3)相比,团队发现氯取代了晶胞赤道位置的碘,从而在钙钛矿八面体中产生垂直应变,这对于启动垂直生长至关重要。原子建模证明了Cl/I结构的热力学稳定性和混溶性,表明Cl在I位点的优先排列。在太阳能电池层面,垂直取向保持不变,实现了9.4%的功率转换效率的记录,开路电压为1.4 V,这是2 eV宽禁带器件所报道的最高值。

图文概览



薄膜制备与GIWAXS分析

图1:低维钙钛矿(LDP)薄膜的优先水平和垂直取向。

图1示意性地展示了化学式为TMA2MAPb2I7(n=2)的低n值低维钙钛矿(LDPs)的制备流程。所得薄膜的结构和纹理通过掠入射广角X射线散射(GIWAXS)进行了研究,结果如图1b所示。可以确定,其晶胞非常接近正交晶系,轴长为8.8 × 41.5 × 8.7 Å,且β=87°。由于(0k0)反射主要沿qz方向定向,因此晶粒以其(0k0)平面平行于基底的方向取向,意味着无机层板是水平取向的(图1c)。这是低n值LDPs中最常报告的取向(以下称为水平取向)

在图1d中,研究团队使用不同浓度的甲基氯化铵(MACl)部分替代甲基碘化铵(MAI);并且在沉积之前,将混合前驱体溶液在60°C下退火2小时。MAI:MACl的比例对应于钙钛矿配方中I被Cl最优替代的总量为10%。当添加10%的Cl时,GIWAXS图谱(图1e)发生显著变化,显示(0k0)反射现在沿qy方向定向。这表明晶粒取向发生了转变,使得无机层板现在相对于基底垂直取向。值得注意的是,检测到晶胞存在两种主要取向:晶粒现在要么以(001)平面,要么以(101)平面平行于基底取向。在这两种取向中,无机层板都是垂直对齐的(以下称为垂直样品),如图1f所示。
LDP薄膜的光学和光电导性分析

图2:光学和光电导率测量
垂直排列对电荷载流子传输特性有什么影响?
密度泛函理论(DFT)计算分析了TMA2MAPb2I7的电子结构(如图2b所示)。TMA2MAPb2I7在Γ点具有直接带隙。沿高对称方向Γ-Y的平坦能带表明载流子在垂直于PbI6平面的方向上较重,而沿Γ-Δ0和Γ-Z方向更分散的能带则表明载流子在平面内的传输较轻。这由常规晶胞三个轴上的有效质量值(图2b插图)所证实,对于电子和空穴载流子而言,这些值在垂直b轴上较高,在水平a轴和c轴上适中。这些结果表明,通过垂直排列生长这些LDPs可以显著增强载流子传输。
探究氯对垂直结晶的影响

图3:氯离子在晶体结构中的掺入
为什么添加氯(Cl)会对引导垂直结晶产生如此强烈的影响?
对于标准的MAPbX3钙钛矿而言,众所周知,MACl辅助的钙钛矿结晶有利于α相的形成,并且氯在过程中会升华。进行飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)分析,水平样品和垂直样品的结果分别如图3a和3b所示。对于水平样品,氯不存在,其强度与背景信号相当。相比之下,在垂直样品中,氯呈现梯度分布,且在氧化铟锡(ITO)/钙钛矿界面处达到最大值。此外,对于水平和垂直的低维钙钛矿(LDPs),CN、I和S信号在整个膜厚度上均匀分布。
虽然已知在MAPbX3钙钛矿中,氯原子掺入晶胞在能量上是不利的,但对于低n值的低维钙钛矿(LDPs)而言,情况似乎有所不同,这归因于它们的层状、量子受限结构。氯部分取代了赤道位置的碘,从而在八面体中产生应变,进而沿垂直轴拉长晶胞。这种垂直压缩诱导了晶体取向的转变,负责垂直排列。
研究了I1–xClx中0 < x < 0.21和0.79 < x < 1范围内所有结构的b晶格参数变化,以探究氯添加引起的结构畸变(图3e)。与每个浓度下b晶格参数最小的结构相比,b参数最大的结构(i)在能量上更有利,(ii)在碘位点具有优选的赤道氯分布(图3f),(iii)具有更大的间隔阳离子距离。检查每个浓度下能量最稳定的结构时,发现氯离子主要分布在赤道碘位点。b晶格参数最高的结构由于a和c晶格参数的压缩而具有较低的晶胞体积。总之,赤道分布的氯在能量上更有利,它会在a和c晶格参数方向上对晶胞产生压缩应变。这会在间隔阳离子之间产生空间位阻,导致b参数的延长,这与GIWAXS结果一致。
设备特性与性能

图4:钙钛矿太阳能电池(PSCs)和半透明器件的光伏性能

设备示意图如图4b所示。图4c展示了使用水平和垂直低维钙钛矿(LDP)制造的冠军钙钛矿太阳能电池(PSC)在正扫和反扫下的特征电流密度(J)-电压(V)曲线。水平PSC的光电转换效率(PCE)为0.8%,受到短路电流密度(JSC)的严重限制,原因是存在电荷传输障碍。相比之下,垂直器件的光电转换效率为9.4%,远超其水平对应器件,其短路电流密度为10.6 mAcm−2,填充因子(FF)为63.2%,开路电压(VOC)为1.40 V。

文献

来源

Vertically oriented low-dimensional perovskites for high-efficiency wide band gap perovskite solar cells         https://doi.org/10.1038/s41467-024-53339-6


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