掺杂锰增强了NiS在工业级电流密度下的HMF对FDCA的电氧化性能

2024-12-21 22:07   黑龙江  

文献信息

文章题目:Doped Mn Enhanced NiS Electrooxidation Performance of HMF into FDCA at Industrial-Level Current Density

DOI: 10.1002/adfm.202214488

期刊:Advanced Functional Materials

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研究背景与意义:

传统的FDCA合成方法使用贵金属催化剂和有毒氧化剂,在高温高压下进行,成本高且能耗大。因此,开发一种环境友好且成本效益高的HMF到FDCA的转换方法是该领域的主要挑战。

主要发现:

这篇文章展示了一种直接生长在三维石墨毡(GF)基底上的Mn掺杂NiS纳米片电催化剂,这种电催化剂能在工业级电流密度(500 mA cm−2)下高效地将HMF电氧化成FDCA。

Mn0.2NiS/GF电催化剂在H型电池中表现出优异的HMFOR性能,具有高选择性(98.3%)、产率(97.6%)、法拉第效率(94.2%)和良好的稳定性(10个循环)。特别是,FDCA的生产速率可达4.56 g h−1,优于文献中报道的其他HMFOR电催化剂。

通过扩大Mn0.2NiS/GF电极面积并组装在连续流电解槽中,实现了高达44.32 g h−1的FDCA生产速率。

结果与讨论

图1

a 制备方法示意图:展示了通过水热法在石墨毡(GF)基底上直接生长Mn0.2NiS纳米片的过程。

bXRD(X射线衍射)谱图:展示了Mn0.2NiS/GF和NiS/GF的XRD谱图,用于分析和确认材料的晶体结构。XRD结果显示Mn0.2NiS/GF保持了典型的菱形NiS结构,并且Mn掺杂导致衍射峰轻微向低角度方向移动,暗示晶格参数的增加。

c, d SEM(扫描电子显微镜)图像:展示了Mn0.2NiS/GF的形貌,显示了大量均匀分布在GF表面的纳米片。

e, f TEM(透射电子显微镜)图像:进一步展示了Mn0.2NiS/GF的纳米片结构,直径在200-300纳米之间。插图f显示了相应的选区电子衍射(SAED)图案,揭示了Mn0.2NiS/GF纳米片的多晶性质。

g HRTEM(高分辨率透射电子显微镜)图像:揭示了NiS的(220)晶面的晶格条纹间距为0.244纳米。

h 元素分布图:通过能量色散X射线光谱(EDS)元素映射分析展示了Mn0.2NiS/GF纳米片中Ni、S和Mn元素的存在和均匀分布。

图2

a BET(Brunauer-Emmett-Teller)曲线图:展示了Mn0.2NiS/GF和NiS/GF的BET曲线,这些曲线用于表征材料的孔隙性质,包括比表面积和孔径分布。结果显示两种材料都具有IV型等温线特征,表明它们具有介孔结构。

b XPS(X射线光电子能谱)谱图:展示了Mn0.2NiS/GF的XPS全谱,显示了Mn、Ni、S、O和C元素的存在。

c Ni 2p的高分辨率XPS谱图:比较了Mn0.2NiS/GF和NiS/GF中Ni 2p的高分辨率XPS谱图,显示了Ni的不同价态,包括Ni3+、Ni2+和少量Ni+物种。Mn掺杂后,Ni的电子密度增加。

d S 2p的高分辨率XPS谱图:展示了Mn0.2NiS/GF和NiS/GF中S 2p的高分辨率XPS谱图,可以归属为S2-物种的S 2p3/2和S 2p1/2峰,以及归属于S-O物种的峰,表明表面S原子的氧化。

图3

a 线性扫描伏安图(LSV):展示了Mn0.2NiS/GF在1 M KOH溶液中有无100 mM HMF时的LSV曲线。这可以用来比较HMF氧化和氧进化反应(OER)的电化学活性。

b 不同电流密度下HMFOR和OER之间的电位差比较:展示了在不同电流密度下,HMFOR和OER之间的电位差异,显示了Mn0.2NiS/GF在促进HMF氧化方面的优势。

c 不同电极材料的LSV曲线比较:展示了Mn0.2NiS/GF、NiS/GF、Ni(OH)2/GF和纯GF在1 M KOH溶液中含100 mM HMF时的LSV曲线,比较了它们的电催化活性。

d Tafel图:展示了Mn0.2NiS/GF在1 M KOH溶液中有无100 mM HMF时的Tafel图,用于分析电氧化反应的动力学。

e Nyquist图:展示了Mn0.2NiS/GF、NiS/GF和Ni(OH)2/GF在1 M KOH溶液中含100 mM HMF时的Nyquist图,用于评估电极界面的电荷转移阻抗。

f 电容电流密度图:展示了Mn0.2NiS/GF、NiS/GF和Ni(OH)2/GF的电容电流密度,用于比较它们的电化学活性表面积(ECSA)。


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