文｜徐涛 雷俊成 王子源 程子盈
1月15日晚间，BIS修订了《出口管理条例》（EAR），修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制，对HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产化加速。本次限制针对制造厂商及供应链，设计厂商业务正常开展，我们看好高端定制存储业务，持续推荐。同时我们认为，后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM原厂有望突破HBM，布局相关环节的厂商有望核心受益，看好高端存储产业链国产替代。
▍美国对华先进存储限制再次升级，本次DRAM修改先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制。
其中：18 纳米半间距对应的存储单元面积从24年12月的0.0019 µm2 变为0.0026µm2，存储密度是从12月的0.288Gbit/mm2变为0.2Gb/mm2（据semiconductor-digest网站，三星1x即18nm 8Gb DDR4/海力士1xnm的存储单元面积是0.0026/0.0025µm2，三星1y nm 8 Gb LPDDR4X/美光1y nm 8 Gb DDR4/海力士1x LPDDR4的存储密度分别为0.237/0.205/0.191 Gb/mm2，参数对比详见附录）；单die TSV数量不超过3000个。HBM对于带宽的增加主要通过更多IO接口/更多通道数，与IO传输速率提升实现，其中IO接口与3D堆叠中的TSV通孔数量呈强正相关。管控单die的TSV数量，对于TSV提升带宽的技术路线有潜在的限制。
▍国产算力芯片目前配置情况：多采用HBM2/2E，相较海外落后2代以上。
HBM是能够满足AI算力芯片高速传输需求的新型存储，于2014年推出，配套算力需求持续高速增长，我们测算至2025年全球HBM容量需求将接近17亿GB，占DRAM出货总容量超10%，占DRAM市场产值超30%。国产训练算力芯片多采用HBM2或HBM2E等存储颗粒，而海外最新一代产品如NVIDIA新款AI芯片H200及B100、B200已配备HBM3E较为先进的存储颗粒。而部分AI推理卡如NVIDIA L系列在成本考量下仍搭载GDDR；此外，部分轻量级AI推理芯片或将搭配LPDDR私用，如三星计划推出的AI推理芯片Mach-1。我们认为，本次美国对华先进存储限制将会影响国内厂商对海外原厂HBM2/2E的采购（主要为三星电子和SK海力士），我们预计后续一方面国内原厂有望推出国产HBM接替海外，另一方面也存在短期将AI算力芯片配套存储从HBM降规至GDDR类或特殊DRAM可能性。
▍风险因素：
国产算力芯片研发进展不及预期；国产算力芯片产能不及预期；大模型迭代速度不及预期；国产半导体设备研发进展不及预期；国产存储芯片客户拓展不及预期；地缘政治风险等。
▍投资策略：先进存储限制加码，倒逼产业链国产化加速。
本次限制针对制造厂商及供应链，目前设计厂商业务正常开展，我们看好高端定制存储业务，持续推荐。我们认为后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM存储原厂有望突破HBM产品，HBM制造核心看封装工艺升级，核心工艺包括TSV/Microbump、MR-MUF、CoWoS等，未来看Hybrid Bonding，我们认为布局相关环节的厂商有望核心受益：1）布局先进封装的厂商；2）材料和设备环节相关厂商：；此外建议关注半导体材料厂商。
