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电子组装技术的发展趋势
SMT发展总趋势是电子产品功能越来越强、体积越来越小、价格越来越低、更新换代的速度也越来越快。 电子产品的小型化促使半导体集成电路的集成度越来越高,SMD和IC的引脚间距也越来越窄,引脚间距从0.3mm的细间距甚至缩小到0.1mm, 窄引脚间距已经成为现实。 无铅焊料取代Sn-Pb焊料就成为必然趋势,欧盟、美国、日本等工业发达国家,已经全面禁止铅的使用,包括禁止进口含铅的电子产品。电子组装朝着无铅转化方向发展,无铅组装是SMT发展的必然趋势。 在组装技术方面:BGA、CSP的应用已经比较广泛、工艺也已经成熟了,0201(0.6×0.3mm)在多功能手机、CCD摄像机、笔记本电脑等产品中广泛地应用。倒装芯片(Flip Chip)在美国IBM、日本SONY公司等都已经得到广泛应用,多芯片MCM功能组件是进一步小型化的方向。 目前我国使用的SMT设备已经与国际接轨,但设计、制造、工艺、管理技术与国际有差距,加强基础工艺研究。努力使我国真正成为SMT制造大国和制造强国是发展的总趋势。
电子器件及其组件在使用过程中,由于应力、时间、温度和环境介质和操作失误等因素的作用,失去其原有功能的现象时有发生。这种丧失其规定功能的现象称为失效。 对电子器件及其组件在使用过程中发生各种形式失效现象的特征及规律进行分析研究,从中找出产生失效的主要原因及防止失效的措施,称为失效分析。 失效分析是一门交叉、边缘、综合的新兴学科,它涉及广泛的学科领域和技术门类,在提高产品质量、技术开发、改进、产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。
失效分析的意义
失效分析与其他学科的关系
失效分析已从一门综合技术发展成为一门新兴的综合性的学科。它研究失效的形式、机理、原因,并提出预测和预防失效的措施,称为失效学。因此,它是涉及广泛学科领域和技术范畴的学科。
失效分析与其他学科的关系如图所示。图中箭头符号表明它们之间的关系,单箭头表示只为失效分析提供信息和依据,而双箭头则表示互相提供信息和依据。
失效分析的任务
中国电子行业失效分析
1 可靠性测试:高投入,极度重视,采购老化实验设备,但如何对次品进行改进,无后文。
2 失效分析:低投入,不重视,未设置专门的部门与人员,仅有维修部门,不做分析即返修。
电子行业铅含量只占全世界用铅量的0.5%
我们不是规则的制定者,只是游戏的参与者。
SMT无铅焊料
There are optimal Pb-free alloys for given applications
Surface Mount (Sn-Ag-Cu)
Wave solder (Sn-0.7Cu)
Surface finish (OSP, Ni-Au, Sn, Ni-Pd)
Flip chip and Through-hole (Sn-Cu)
Die attach (Sn-Sb)
ENIG黑盘现象
一、ENIG的优点
1、焊盘平整度好
2、可焊性好
3、接触电阻小
4、可以进行Wire-bonding,可替代电镀镍金
5、高湿环境中不氧化,可作散热表面
二、ENIG的制作流程
清洗—微蚀—活化—化学镀镍—化学浸金—水洗
在ENIG工艺中,可能会出现黑盘现象
黑盘的产生主要是
业界一般认为P含量在8-10wt%时,有利于防止黑盘的发生 P含量过低,镍层的抗腐蚀能力变差,浸金过程中,金对镍层的攻击更强,即腐蚀严重,容易产生富P层,导致可焊性下降,从而容易造成黑盘的发生。 如果镍层中的P含量过高,酸性浸金槽对EN层腐蚀较小,最初焊接的时候,化学镍金焊盘最表面的金层迅速溶解到锡中,锡和下面的镍层形成了镍锡金属间化合物,从而形成焊点连接,很少出现黑盘现象,但此后在大电流密度时产生的热应力以及环境温度变化使IMC不断增大,而镍层中的P不参与这个形成IMC的反应,因此,随着过程的进行,在镍与IMC界面处便会形成P的富集层,这个富P层和镍锡IMC的结合力很弱,会严重影响焊点的强度,成为断裂面。
泥裂
IMC层断裂
金脆现象
镀金表面的焊盘,在焊接完成后,表面的金会溶解到焊料中并形成许多金属间的IMC化合物。由于这些含金化合物颗粒非常脆,焊点也表现出一定的脆性,业界称为“金脆”。
一般认为焊点中的金含量超过3wt%时会引起典型的金脆缺陷。
焊料部分溶解 金和锡开始反应,生成AuSn2,AuSn4等; AuSn4从焊盘上脱离出去 AuSn4在焊料中分解和析出
焊点变脆
焊点形成长时间后,界面上重新聚聚析出AuSn4,使界面变脆,界面变成金-镍-锡-Ni3Sn4-Ni,裂纹主要发生在AuSn4和Ni3Sn4界面上发生。
无铅有铅混装工艺
工艺上要设定好向前兼容和向后兼容的温度参数,密切监控焊后合金本体扩散的均匀性。
Figure 9a: Pb diffused along the grain boundary withreflow profile below the lead free solder ball meltingpoint, Black/Grey- Pb Rich, Rod shape - Ag3Sn, GreyParticles-Cu6Sn5.
图9a:铅沿晶界扩散,无铅焊球熔点的回流轮廓,黑色/灰色-铅丰富,棒状-Ag3Sn,灰色颗粒-Cu6 Sn5。
在电流和含卤助焊剂残留离子的双重作用下,容易发生枝晶生长。
对离子迁移生长的影响 | |
电极材料 | (快)Ag>Cu>Pb>SnPb>Sn>Au(慢) |
温度 | 在常温到90℃时依存性大 |
湿度 | 在80%RH以上发生,沾着水分多,生长就越快 |
电压 | 电压越高生长越快,对交流、频率的倒数敏感 |
PH | 酸性越强,析出速度越大 |
离子性不纯物 | 卤素浓度越高,生长速度越快 |
水中溶解氧 | 氧溶解越多,生长速度越快 |
基材 | 吸水性越大,生长速度越快 |
是一种单品柱状物 直径1um至5um 随环境和时间会生长可以弯曲、缠绕 有柱状、线状、疹状、花状、火山状等多种形态
锡晶须试验方法
检测标准:小于50um | ||||
锡须分类 | 产生机理 | 依据标准 | 试验方法(扫面电镜检查测试) | |
恒温锡须 | Cu扩散至Sn | JEITA/NEMI | 20℃~25℃,55±25%RH,1000小时 | |
湿热锡须 | Sn氧化 | JEDEC/NEMI | 60℃,90±5%RH/60℃,93+2/-3%RH | |
热冲击 | Cu/IMC/Sn间 | JEITA/NEMI | -55℃/-40℃~+85℃ |
使用大品粒尺寸的matte Sn作为镀层 镀层厚度控制在8um到10um Ni作为电镀底层,阻止Cu原子向IMC的扩散形成压缩应力 尽可能选用SnAqCu、SnBi等多元合金作为镀层,减缓Sn原子的扩散迁移速率 镀层在150℃到170℃老化,尽快形成较厚的Cu6Sn5成分的IMC,有利于减小Cu原子扩散的时效应力
毛锡 | 亮锡 | ||
含碳量 | 0.005~0.05% | 0.2~0.4% | |
晶粒大小 | 2 ~5um | 0.5~0.8um |
焊点表面应力释放模式
我们在做失效分析时发现断裂发生在BGA一侧的IMC与基板之间,且呈现脆性断口特征,成分是Cu ,Ni,Sn,各元素的比例不固定。
跌落失效-断裂界面分析
完结——以下无正文
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