武汉大学柯维俊/方国家/蒲德馨&武汉工程郑文文AM丨三步抑制策略以实现高效刮涂宽带隙串联钙钛矿太阳能电池!方鸿翼共同一作

文摘   2024-11-20 14:42   上海  
丨汇编来源公开信息丨版权归原作者所有
旨在分享学术交流丨能力有限欢迎指正丨
「上海岱算科技有限公司」已向境内外230余家高等院校/科研院所提供了累计1400多项模拟计算服务,赋能科学研究提速增效!合作实验课题组在线发表学术论文期刊有ACS系列、AM系列、Angew、CEJ、EST、JACS、Matter、Nature子刊等,助力科研工作锦上添花!

刮涂技术因其前驱体利用率高、结构简单等优点而受到钙钛矿太阳能电池(PSCs)的广泛关注。然而,刮涂PSCs的功率转换效率(PCE)往往落后于旋涂器件,这主要是由于在刮涂和N2刀干燥过程中的预成核、非均相成核和结晶过程中难以精确控制钙钛矿膜的形成。

2024年11月19日,武汉大学柯维俊/方国家/蒲德馨、武汉工程大学郑文文团队合作在Advanced Materials期刊发表题为“Efficient Blade-Coated Wide-Bandgap and Tandem Perovskite Solar Cells via a Three-Step Restraining Strategy”的研究论文,武汉大学方鸿翼、武汉大学/武汉工程大学Shen Weicheng为论文共同第一作者,郑文文、蒲德馨、方国家、柯维俊为论文共同通讯作者。

该研究介绍了一种利用功能甘氨酸酰胺盐酸盐调预成核团聚、抑制过度非均相成核和减速结晶的三步抑制策略,从而全面控制钙钛矿膜的形成过程。这种方法可以使晶粒扩大,缺陷密度降低,形成高取向的宽带隙钙钛矿膜,显著延长载流子寿命,使1.77 eV带隙刮涂PSCs的最大PCE达到19.97%。此外,由宽带隙钙钛矿顶部电池和通过刮涂制成的1.25 eV带隙钙钛矿底部电池组成的双端串联电池的PCE为27.11%(稳定在26.87%)。该研究对刮涂过程中预成核、非均相成核和结晶的控制提供了全面的见解,为未来高性能、大面积器件的开发提供了有价值的指导。

DOI:10.1002/adma.202414790

该研究提出了一种利用功能甘氨酸酰胺盐酸盐(GlyACl)控制刮涂WBG钙钛矿膜形成过程的三步抑制策略:1) 调节团簇形成以增强预成核动力学,2) 防止过度成核以产生大的垂直取向晶粒,3) 延迟结晶以提高膜质量。这种三步抑制策略导致晶粒尺寸增大,晶体取向改善,缺陷密度降低,并获得了载流子寿命显著延长的高质量钙钛矿膜。因此,获得了刮涂1.77 eV带隙无甲基铵的PSCs的PCE为19.97%,并显著提高了稳定性。此外,通过将其与刮涂1.25 eV带隙锡铅(Sn-Pb)PSCs结合,开发出最高PCE为27.11%的高效2T TSCs。该研究为刮涂中WBG钙钛矿膜的形成过程提供了新的见解,并为未来的大面积、高性能器件制造提供了灵感。

图1. a) 三步抑制策略示意图。b) 添加和不添加GlyACl的钙钛矿前驱体溶液的动态光散射光谱。c) 对照和d) 目标钙钛矿膜的俯视SEM图像。e) 在光学显微镜下拍摄的含GlyACl和不含GlyACl的成膜过程视频截图。

2. a) 对照和b) GlyACl处理的钙钛矿膜在刮涂过程中的原位PL光谱。对照和GlyACl处理的钙钛矿膜的c) Pb 4f的XPS光谱和d) XRD谱图。e) 对照和f) 经GlyACl处理的钙钛矿膜在2θ= 14.26°时的极点图。单结刮涂WBG PSCs的g) J-V曲线,h) 稳态功率输出,i) EQE谱。

3. 对照和GlyACl处理的钙钛矿膜的a) PL和b) TRPL光谱。c) 黑暗条件下1000 Hz下对照和GlyACl处理的PSCs的Mott-Schottky分析。d) 器件的光强依赖性VOCe) 对照装置和目标装置的SCLC曲线。f) 添加和不添加GlyACl的钙钛矿膜能带图。g) 在≈55°C、无冷却系统的100 mW cm−2白光照射下,在N2中有和没有GlyACl的器件的最大功率点跟踪。

4. a) 2T TSCs的器件结构。刮涂性能最佳的2T TSC的b) J-V曲线;c) 稳态功率输出。d) 刮涂最佳2T TSC中WBG子电池和NBG子电池的EQE曲线。e) 两种TSCs的统计PCE(每种数据取自10个电池)。

总之,该研究证明了GlyACl作为一种添加剂,显著影响了从前驱体到固体膜的成膜过程。首先,GlyACl的引入调节了预成核团簇,增强了预成核动力学,从而促进了最终膜中更大晶粒的生长。其次,GlyACl降低了前驱体的润湿性,降低了非均相成核密度,导致晶粒更大、取向更高。此外,晶体的生长受到阻碍,从而改变了晶体取向,从而形成了高结晶质量的膜。这三步抑制策略最终产生了高效的PSCs,对于刮涂1.77 eV带隙的PSCs的PCE达到了19.97%,而对于刮涂2T TSCs的PCE达到了27.11%。该研究为高质量PSCs的制备提供了新的思路,为PSCs的进一步产业化铺平了道路。

■密度泛函理论DFT计算:电荷密度、态密度DOS、能带、费米能级、功函数、ELF;介电常数、弹性模量、声子谱;吉布斯自由能、吸附能、掺杂能、缺陷形成能;HER、OER、ORR、NRR、CO2RR;反应路径、反应机理、迁移能垒等

■量子化学QC计算:静电势、偶极矩、布居数、轨道特性、自旋密度、Fukui函数;激发态、跃迁偶极矩;氢键、π-π堆积、疏水作用力;过渡态、反应能垒、反应机理;红外、拉曼、荧光、磷光、核磁谱、圆二色谱等

■分子动力学MD模拟:生物体系弱相互作用分析、受体-配体组装过程、结合自由能;材料体系的高分子构象预测、材料与溶液界面性质、粗粒化模拟;轨迹分析RMSD/RMSF、径向分布函数RDF、扩散、氢键数量;分子对接;同源建模;虚拟筛选、定量构效关系QSAR

■有限元FEM仿真:结构仿真(接触分析、非线性分析、振动/疲劳/传热/裂纹/碰撞分析);电磁仿真(电场、磁场、电磁耦合、磁热耦合、射频微波);流体仿真(多相流体、组分运输、流体传动、相变);光学/声学仿真相关

Gaussian
解读「实验+计算」最新学术论文丨量子化学计算丨Gaussian丨ORCA丨CP2K丨MS/Materials Studio丨PySCF
 最新文章