中科院化学所胡劲松/薛丁江AM丨立式一维链助力高效宽禁带硒太阳能电池

文摘   2024-11-09 12:09   上海  
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近年来,串联太阳能电池和室内光伏电池的兴起重新引起了对硒(Se)的研究兴趣。Se作为世界上第一种光伏材料,由于其本征宽带隙(≈1.9 eV),高稳定性和在光伏电池应用中微量使用时的无毒性而备受瞩目。然而,在一维链式晶体结构下,由于低表面能,Se倾向于生长出与衬底平行的横向晶体膜,这就导致了载流子在由弱范德华力连接的链上传输不畅。

2024116日,中国科学院化学研究所胡劲松研究员、薛丁江研究员团队在Advanced Materials期刊发表题为“Standing 1D Chains Enable Efficient Wide‐Bandgap Selenium Solar Cells”的研究论文,团队成员Liu Qingxiang为论文第一作者,薛丁江研究员为论文通讯作者。

该研究介绍了一种衬底加热策略,促进Se与基底间的界面键合,使Se薄膜的生长具有垂直于衬底的直立取向链。这使得沿共价键链进行高效载流子输运成为可能。由此,得到的Se薄膜与水平取向的Se薄膜相比,载流子迁移率增加了四倍。因此,在AM1.5G 1太阳光照下,Se太阳能电池的功率转换效率最高达到8.1%。未封装器件在常温环境下储存1000小时后,效率损失可以忽略不计。

DOI:10.1002/adma.202410835

该研究报道了一种衬底加热策略,实现了Se薄膜沿垂直方向的生长。该研究首先揭示了Se链段和TiO2之间的惰性性质,使得TiO2层上Se薄膜的生长方向完全由其表面能控制,从而形成水平取向。因此,利用高活性的Se2,结合热蒸发过程中升高的衬底温度,促进SeTiO2之间的结合,这种界面键合导致了垂直取向Se薄膜的形成。所得到的Se薄膜与水平取向的Se薄膜相比,载流子迁移率增加了四倍。在AM1.5G 1太阳光照下,由这些Se薄膜制成的Se太阳能电池的效率达到了8.1%。未封装器件在常温环境下储存1000小时后,效率未见下降。

图1. a) Se的晶体结构。b) 计算了Se沿链间和链内方向的电子迁移率。c) 计算Se沿[100][001]方向的ELFd) 计算Se沿[100][010]方向的ELFe) Se在衬底上垂直取向和水平取向的示意图。f) 计算Se(100)(010)(001)(101)表面上的表面能。

图2. a) 制备垂直取向Se薄膜的SH策略示意图。b) Se粉末的MS谱。c) 对照Se薄膜和d) SH Se薄膜从顶部至底部溅射过程中记录了Se 3dXPS光谱

3. a) 对照组与SH Se薄膜的XRD图谱。b) 计算对照组与SH Se薄膜的临界温度。c) SH薄膜的截面SEM图像。d) 对照组和e) SH Se薄膜的GIWAXS图谱。f) 对照组和g) SH Se薄膜的C-AFM电流图像。基于h) 对照组和i) SH Se薄膜的纯电子Se器件的电流-电压曲线。

4. a) Se太阳能电池的结构示意图。b) AM1.5G太阳光谱(100 mW cm−2)标准1太阳照度下测得的性能最佳对照组与SH组器件的J-V曲线。c) 20个对照组与20SH组器件的PCEs统计数据。d) 20个对照组与20SH组器件的Jsc统计数据。e) 性能最佳对照组与SH组器件的EQE光谱及其积分电流密度。f) 20个对照组与20SH组器件的Rs统计数据。g) 20个对照组与20SH组器件的Rsh统计数据。h) 性能最佳SH设备的稳态功率输出曲线。i) 非封装SH设备在常温常压下存储时归一化PCEs的变化情况。

总之,该研究报道了一种衬底加热策略,该策略实现了Se和衬底之间的界面键合,从而导致垂直取向Se薄膜的生长。研究发现,硒链段与基底的惰性导致难以形成有效键合,从而仅通过表面能驱动硒薄膜生长,最终形成水平取向的硒薄膜。因此,在热蒸发过程中,使用高活性的Se2,随着衬底温度的升高,实现了Se和衬底之间的键合。由于这种界面键合,形成了垂直取向的Se薄膜。结果表明,与水平取向的Se薄膜相比,载流子迁移率增加了4倍,这是由于载流子沿共价键链的有效迁移,而非依赖范德华力维系的链间较差传输。采用这种Se薄膜制备的太阳能电池达到了创纪录的8.1%的效率。未封装的器件在环境条件下存储1000小时后,性能没有明显下降。该研究为控制低维晶体结构薄膜的生长取向提供了一种通用策略。

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