不深入认识一个产业，就会被媒体浅层的报道“骗到”。最近，海外媒体正在从“华为崩溃论”转向新的”华为威胁论“。
2023年8月29日，华为在美国商务部长雷蒙多，就是用实体清单封锁华为等中国科技企业的工业与安全局的上级单位的领导访华之际，发布mate60pro手机，搭载了一颗5G水平的自研麒麟芯片，工艺在7nm水平上，性能还超越了台积电为华为代工的最后一款5nm手机SoC芯片麒麟9000，这款芯片被大家定义为麒麟9000s（华为从未官方确定名称）。
（图片说明：华为mate60pro手机）
随后美国各类媒体就开始报道：“华为为何能突破美国及盟友技术、设备限制，在没有台积电代工，没有最先进的EUV极紫外光刻机的情况下，造出7nm的5G芯片的？”。
他们大量拆机mate60、用超级显微镜看芯片的封测与制造工艺等等，最后得出的结论也五花八门：什么幕后是中芯国际的代工，什么华为自建产线，什么谁谁谁又偷了谁谁的技术…
（图片说明：麒麟9000s的架构）
可以说各种猜测层出不穷。
不过此时我已经能洞察出外媒对华为突破7nm 5G芯片的态度变化。
在华为mate60pro之前，看衰华为的外国媒体一致认为：中国按照目前手上的设备与技术，通过多重曝光，也就是类似中芯国际公开的技术finfet n+1 n+2，能够生产出最高14nm的芯片，完全无法与美国联合日韩、荷兰、中国台湾等盟友合作生产的3-5nm芯片比较，技术差距至少10年。
万万没想到，在被美国完全封杀后不到3年的时间，华为就追到了自主7nm水平。
也因此，西方媒体的“华为崩溃论”突然转变，再次回到了几年前的“华为威胁论”。
今年刚开年，英国金融时报就爆出：华为与中芯国际正在突破5nm芯片。
（图片说明：英国金融时报的报道）
3月，韩国中央时报、中国台湾的电子时报也爆出：华为正在启动5nm的手机芯片、人工智能芯片。
（图片说明：韩国媒体援引电子时报的报道）
不久后，著名的彭博社又爆出华为公开最新专利，并称华为将联合北方华创、深圳新凯莱，突破更高端的芯片制造。
（图片说明：彭博社报道华为新公布专利）
可以说，近期海外媒体集中报道了华为更高端的芯片破局，但口吻和气氛都显得有些过度、刻意地叙事了，背后目的不排除向美官方传递某种情绪价值（就在3月30日，美国商务部旗下工业与安全局发布“实施额外出口管制”的新规措施，修订了BIS于2022、2023年10月制定的两次出口限制新规）。
这件事到底是不是外媒对华为的一次“捧杀”呢？
首先说说去年华为7nm破局。
根据中芯国际前独立董事、当年台积电研发六骑士之一的杨光磊的说法。他认为：华为利用目前国内已经有的DUV深紫外光刻机制造7nm芯片，技术上是没有问题的，作为台积电的老将，杨光磊这位技术大牛的观点，也与我结识的几位业内专家的观点一致：华为用DUV光刻机结合技术优化造出7nm芯片不足为奇（有难度很厉害，但不是奇迹）。
（图片说明：林本坚右边是年轻的杨光磊）
他们都认为大概率是多重曝光技术，类似中芯国际的Finfet n+1 n+2工艺。
Finfet n+1 n+2除了芯片上晶体管的结构与传统不同外，所谓+1、+2本质就是需要在晶圆上多重曝光（加一次蚀刻、两次蚀刻），来造高端芯片。
所谓多重曝光就是在目前没有最尖端的荷兰阿斯麦EUV光刻机的情况下，利用此高端的DUV光刻机，甚至是DUV中最低端的NXT 1980i型号来多次光刻，将半导体芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，EUV能一次光刻完成，DUV可能就要光刻2次或者更多次。
但问题是如何保证半导体芯片生产的良品率、质量，以及确保商业上的成本控制，毕竟我们还是要赚钱的。
如果良率只有50%，那么每制造2个芯片就有一个是不合格的，一般来说，类似台积电这样的高端芯片代工的大厂，其先进工艺都要确保良率在75%以上，苹果iPhone就在要求台积电承担良率的成本，如果良率达不到75%，那每四块A系列手机芯片就有一块不合格，这个成本都是要台积电作为晶圆厂承担的，所以，低良率带来的成本问题可想而知
当然也有人说我们是举国之力造芯片，完全可以承受高成本，只要技术上能突破，凭借中国庞大消费市场，总有一天成本会摊薄的，这个角度也没错，不过除了成本，质量其实更重要，手机芯片能用多久，是否耐用，性能是否出现明显下滑，都考验着芯片的质量。当然最终这些因素也都会反映在华为的成本上，目前华为麒麟9000s出货回归正常，或许这也说明其芯片生产的良率与产能已经趋稳。
那么外媒炒作的华为新专利、新式的“华为威胁论”是什么情况呢？这里其实不应该多说，因为大量媒体对此事件有报道，不过很多内容慢慢消失了，我认为大部分的解读可能走偏了，所以文章或信息报道才被下了。
从国家知识产权局的官方信息源头看：此次公布了华为技术有限公司的多项新专利，其中一项，也是外媒最关注的是专利号 CN117751427A 的、涉及到 “ 自对准四重图案化 SAQP 半导体装置的制作方法以及半导体装置”，我不会跟着外媒侃侃而谈，但可以确定这是已知的多重曝光制造工艺外，华为新的技术突破，此前未曝光过。
（图片说明：华为新公布专利部分截图）
这次我们举国之力支持与保护的华为，公布专利时间也很巧合，上次mate60pro是美商务部长访华，这次是掌握全球最先进EUV光刻机的荷兰首相访华。
无论如何，外媒对华为态度正在转变，“华为崩溃论”似乎已经到头了。至于华为今年能否继续突破5nm，乃至于3nm，外媒的报道，我们用娱乐心态听一听就好。
首先，我们破局芯片制造的意志坚定，无论荷兰最高端的EUV卖不卖，我们的目标都是明确的要突破西方的芯片封锁，方法总是比问题多。
其次，我们不应该被外媒牵着鼻子走，什么7nm 5nm 3nm 2nm的，都是虚数！各门各派都有各自的数值标准，比如曾在10nm技术上踩坑的美国英特尔，他的技术标准是最高的，可以说，英特尔的10nm就能对飙三星的5nm和台积电的7nm了，甚至更好。
如今芯片制造中国台湾、韩国、美国、中国四足鼎立，最强的台湾地区除了台积电一家独大，制造高端芯片，其他包括联华电子其实都在造20nm之外的成熟芯片，这部分中国正在“卷”全世界的晶圆厂，这几年就会开始干翻全球大部分专注于成熟制程的晶圆厂（这才是外媒该捧的地方）。
而高端上，台积电掌握的finfet工艺，中芯国际正在做的finfet n+1 n+2工艺，及三星的GAA工艺目前都在冲刺更高端的芯片生产，但是我们的技术依旧距离最高水平有明显差距（包括光刻机等因素），也许按照目前的追赶速度还有很长的路要走，也许我们也正在另辟蹊径。
但对外媒目的性的“捧杀”，我建议大家还是不要太上头。
完 ｜ 感谢阅读
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