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原文链接：10.1002/adom.202403242
图文解析
图1. 分子设计策略、CP-TADF材料的结构。
图 2. a、b)两种化合物的合成路线和 c) 晶体结构。
图3. 在b3lyp/6-311g(d, p)理论水平上对两种化合物的S1、S2、T1激发态的垂直跃迁和电子-空穴分析（蓝色代表空穴分布，绿色代表电子分布）的图示。
图 4. a) M8PN 和D8TPN (3 × 10−5 m) 的 UV-vis 吸收光谱（在 CH2Cl2 中）和 PL 光谱（在甲苯中）。b) (cR/cS)-M8PN 和 (cR/cS)-D8TPN 在 CH2Cl2 (3 × 10−5 m) 中的 CD 和c) CPL 光谱以及 d) gPL– 波长曲线。e,f) (cR)-M8PN 和 (cS)-D8TPN 的模拟电子跃迁偶极子 (μe，红色)、磁跃迁偶极子 (μm，绿色)、𝜃e,m 和计算出的 g 值。
图 5. a) D-(cR)-D8TPN 和 DW-(cR)-D8TPN 器件的结构和能量图和 b) EL 光谱。c) CP-WOLED 的设计策略。d,g) D-(cR)-D8TPN 和 DW-(cR)-D8TPN 器件的 EQE 和电流效率与亮度曲线。e,h) D-(cR)-D8TPN 和 DW-(cR)-D8TPN 器件的 CPEL 光谱和 f,i) 相应的 gEL-波长曲线。
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