声明：【荧光超分子科学】旨在分享学习交流荧光，超分子等领域的最新资讯及研究进展。在这里仅供交流使用，如涉及版权问题，请联系删除。投稿、荐稿、转载、合作或文章问题等请后台联系小编。感谢各位关注！
原文链接：10.1002/adma.202416224
图文解析
方案1. 新型 B/N-MR 母核结构和新设计化合物 DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh 和DBNDS-CNPh 的分子结构。在这三种化合物中，除了引入功能性二苯并[b,d]噻吩单元外，还在两个硼原子的邻位策略性地引入了中性单元 1,1′:3′,1″-三苯基。
图 1. DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh、DBNDS-CNPh 和NT-2B 的分子结构、前线分子轨道（FMO）分布和能级以及 T1 态自旋密度分布（TSDD）。
图 2. 计算得出的 BNDS-TPh、DBNDS-DFPh 和 DBNDS-CNPh 的S1→S0 跃迁和重组能 (𝜆) 的 Huang-Rhys (HR) 因子。为了便于分析，我们提供了两个不同的频率范围。
图 3. A) DBNDS-TPh、B) DBNDS-DFPh 和C) DBNDS-CNPh 的紫外-可见 (UV-vis) 吸收和 PL 光谱。所有测量均使用稀甲苯溶液进行。9-(2-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-3,9'-联咔唑 (PhCzDCz) (1 wt.%) 掺杂膜中的 D) DBNDS-TPh、E) DBNDS-DFPh 和 F) DBNDS-CNPh 的瞬态 PL 光谱。
图 4. DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh和 DBNDS-CNPh 晶体的单体和二聚体以及在 S0 几何中计算的 DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh 和DBNDS-CNPh 分子表面静电势 (ESP)。
图 5. a) 器件结构和能量图，b) 应用于功能层的分子结构，c) 电流密度-电压-亮度曲线，d) EQE-亮度曲线，以及 e) 基于 DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh 和 DBNDS-CNPh 的非敏化 OLED 的 EL 光谱，掺杂浓度为 1 wt.%。
图 6. a) 器件结构和能量图；b) 应用于功能层的分子结构；c) 电流密度-电压-亮度曲线；d) EQE-亮度曲线；e) 基于 DBNDS-TPh、DBNDS-DFPh 和 DBNDS-CNPh 的Ir(mppy)3 敏化 OLED 的 EL 光谱，掺杂浓度为 1 wt.%。
图7. 3 wt. % A) DBNDS-TPh、B) DBNDS-DFPh、C) DBNDS-CNPh 化合物以不同角度掺杂到PhCzBCz 主体中薄膜的 PL 强度测量结果；D) DBNDS-TPh、(E) DBNDS-DFPh、F) DBNDS-CNPh 在非HF/HF-OLED 中的 TREL 光谱；器件的工作寿命基于 G) DBNDS-TPh、H) DBNDS-DFPh、和 I) DBNDS-CNPh 在初始亮度为 5000 cd m−2 时。掺杂浓度控制在 3 wt.%，器件结构与性能测量时相同。
科研服务
