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原文链接：10.1021/jacs.4c16712
图文解析
图 1. 示意图（a）在室温下两种发射态之间的不可逆转变和（b）可逆转变，以及（c）通过施加交流电场，在室温下电场变色将液晶转变为 CRY 多晶型物。
图 2. (a) 液晶分子 (1) 的分子结构和热转变，(b) 1-G 和 1-B 多晶型物在从 30°C 加热到 160°C的过程中的 POM 图像，以及 (c) 在 360-365 nm 紫外光激发下 1-G、1-B和 LIQ 相的 PL 光谱和光学图像。
图 3. (a) 1-B 的正交晶格，边对面堆叠，(b) 1-G 的 GIXRD 数据和 81 和 41 螺旋模型的模拟 2D XRD 图案，(c) 1-G 的螺旋柱示意图，(d) 1-B 和 1-G 中三唑基 C−H 伸缩振动的红外吸收光谱，(e) 相对能量 (ΔE) 作为 COLhel 中芘单元之间距离的函数的变化，(f) 最小能量下的堆叠结构。
图 4. 研磨 1-B 后的 (a) PL 光谱和 (b) XRD 数据，以及 (c) 对 1-G 施加交流电场 (45 V/μm, 15 Hz) 后观察到的 POM 纹理和荧光颜色变化。
图 5. (a) RTWE 方法利用研磨和电场，允许在室温下可逆地切换背景和字母发射颜色。 (b) 使用 RTWE 方法在条形镀金基板上实现复杂图案。
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