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原文链接：10.1021/acsmaterialslett.4c02232
图文解析
图 1. (A) BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 的化学结构和 (B) 晶体结构。为了清晰起见，省略了氢原子。(C) 基于单晶结构的 BO-MX-ICz 和tBO-MX-ICz 的 Hirshfeld 分割 (IGMH) 分析的独立梯度模型。
图 2. (A) 甲苯溶液 (10−5 M) 中BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 的吸收和 PL 光谱以及在 300 K 下测量的掺杂薄膜中的 PL 光谱。(B) 77 K 下测量的掺杂薄膜中的 BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 的荧光和磷光光谱。(C) 掺杂薄膜中 BO-MX-ICz 的温度相关瞬态 PL 衰减光谱。稳态和瞬态 PL 光谱的激发波长为 340 nm。BO-MX-ICz 的掺杂浓度为 mCP 中的 5 wt%，tBO-MX-ICz 的掺杂浓度为 mCBP 中的 5 wt%。
图 3. (A) BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 在最佳 S0 几何结构下的前沿分子轨道分布和 (B) BO-MX-ICz 在最佳 S1 几何结构下的电子-空穴和 Cele-Chole 分析。蓝色，空穴；绿色，电子。(C) BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 在最佳 S1 几何结构下的单线态和三线态能级以及 SOC 矩阵元素。
4. (A) 基于 BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 的 OLED 的器件结构和能级以及功能层的化学结构。(B) 基于 BO-MX-ICz 和 tBO-MX-ICz 的 OLED 在5 V 下的 EL 光谱、(C) 外部量子效率-亮度、(D) 亮度-电压-电流密度和 (E) CIE 色坐标的图。对于 BO-MX-ICz，EML在 mCP 中的含量为 5 wt%，对于 tBO-MX-ICz，EML 在mCBP 中的含量为 5 wt%。B 插图：基于 BO-MX-ICz（左）和 tBO-MX-ICz（右）的 OLED 照片。
图 5. (A) MR 发射器的分子结构。(B、D) MR OLED 的外部量子效率随亮度变化的曲线，以及 (C、E) MR OLED 的亮度和电流密度随电压变化的曲线。B 和D 平面中的插图：EL 光谱是在 1000 cd m −2 下记录的。
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