先看一下几个案例
1：100kg规模案例
反应条件：2.2eq. TMSCN，0.2eq. InCl3，在甲苯中反应，定量收率。
2：33Kg规模案例
反应条件：2.5eq. TMSCN，0.98eq. BF3·Et2O，在DCM中反应。
3：反应条件：5eq. TMSCN，0.25 eq. SnCl4，在DCM中，0-25°C反应。
4：反应条件：2.0eq. TMSCN，2.1eq. TfOH。
叔醇直接氰基化小结
催化剂：路易斯酸
试剂：至少2.0eq.TMSCN
溶剂：甲苯或者二氯甲烷
机制：碳正离子的SN1反应
加料：一般情况控温滴加TMSCN，放热反应
为什么该类型反应的多数案例，TMSCN用量都至少2.0eq.呢？反应过程如何？杂质谱如何？
TMSCN用量研究
AMRI公司案例
经过对路易斯酸（TiCl4、BF3·Et2O、ZnCl2、InCl3）的筛选，选择了对水不是特别敏感的InCl3。
发现供电子取代基收率很高，供电子基团有利于碳正离子稳定，符合SN1反应路径。
采用比1.0eq.稍多的TMSCN，数据显示化合物2消失，化合物3只有50% ，其中硅醚化合物4占大约50%。
补加1.0eq. TMSCN，三甲基硅醚作为化合物4的离去基团，推动化合物4定量转化成化合物3。小编不确定这个过程发生了SN1还是SN2反应，但是，至少2.0eq. TMSCN是合理的。
小编讨论
化合物2结构中，叔醇的邻位碳上没有氢，不会发生三级碳正离子的消去反应，产生碳碳双键杂质。如果叔醇的邻位碳有氢，如何抑制双键杂质呢？
抑制双键杂质生成的最好途径是：最后加入产生碳正离子的试剂（叔醇或路易斯酸），只要体系中产生三级碳正离子，就会立即被TMSCN捕获，最大程度减少消去杂质的产生。
如果工艺上不能满足最后加叔醇或者催化剂，真的不能抑制消去杂质吗？
碳碳双键在路易斯酸作用下也会产生碳正离子，即使体系中碳正离子没有被TMSCN立即捕获，只要TMSCN的量足够多（过量），还是能抑制消去杂质的。
加料方式研究
勃林格殷格翰公司案例
初期制备化合物4，最后加TMSCN，收率非常低。
优化后，把叔醇3和TMSCN以及溶剂预先加好，最后深冷条件下滴加路易斯酸，体系中产生的三级碳正离子被及时捕获，收率明显提高，收率94%，33kg规模。
杂质谱分析
根据以上分析，以example为例，推测叔醇和TMSCN直接氰基化反应的杂质谱如下，会不会有杂质Impurity 4（结构不确定）？
参考文献
Org. Process Res. Dev. 2012, 16, 1385−1392
Org. Process Res. Dev. 2017, 21, 1427−1434
Org. Process Res. Dev. 2001, 5, 587-592
Organic Process Research & Development 2010, 14, 1182–118
