2024年11月8日，美国宜普电源转换公司（Effcient Power Conversion，简称“EPC公司”）在其官方网站宣布，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会已确认ITC的初步裁定，即中国的英诺赛科（Innoscience）侵犯了EPC的GaN技术基础专利US8,350,294。这也就意味着在未获得EPC许可的情况下向美国进口GaN相关产品或将被禁止。
此次ITC的最终决定还取决于60天的总统审查期，该审查期将于2025年1月6日到期。不过从历史来看，总统几乎很少会否决ITC的决定，因此这一决定或将影响英诺赛科在美国市场的布局。
EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“在投入近二十年的时间和大量资源开发我们独特有价值的知识产权组合后，这是EPC的一次巨大胜利，也是全球公平竞争的一次重大胜利，这对下一代技术进步的成功至关重要。我们感谢ITC在承认我们的专利和创新科技侵权的有效性方面所做的辛勤工作”、“EPC将继续大力保护我们的知识产权免受不公平使用，以确保我们能够继续创新，并为客户提供帮助推动我们未来发展所需的尖端技术。”
EPC表示，GaN技术是涉及人工智能、卫星、快速充电器、人形机器人和自动驾驶等应用的核心。这也是美国首次成功提起涉及GaN基宽带隙半导体的专利纠纷。因此这一决定巩固了美国EPC作为这些下一代器件领先开发商的地位。
2023年5月24日，EPC在其官方网站分别以中文和英文发布声明，表示已于当日向美国联邦法院和ITC提起诉讼（US8,350,294、US8,404,508、US9,748,347和US10,312,335），主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（简称“英诺赛科”）的侵犯。 这些专利涵盖了宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。
不过，英诺赛科很快于5月26日于其官网同样发布了声明予以回应。否认了专利侵权，表示经过对宜普公司四项美国专利的分析后认为，并不存在侵权的行为。
此后，双方专利战进入了胶着状态。
2023年9月，英诺赛科则向美国专利商标局的PTAB提交了针对EPC专利的无效申请。2024年3月，PTAB就EPC四件专利的无效做出立案决定。
2024年7月5日，ITC做出初裁决定：判定英诺赛科在此次EPC的四件专利侵权指控中，除两件EPC中途放弃指控外，一件没有侵权，另一件侵权（涉案专利US8,350,294）。
因此，此次ITC做出终裁就是基于初裁认为侵权的这件专利。
目前有关这件专利在美国专利商标局的无效审理还在进行之中，最新的状态是2024年11月6日，双方就口审提出请求。
从目前的情况来看，英诺赛科可能要孤注一掷的将这件EPC的专利在美国专利商标局无效掉，或者是采取规避设计的解决方案，才有可能赢得更大的转机。
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