Nature研究论文|石墨烯之父,诺奖得主A. K. Geim:二维晶体中纳米级波纹的质子传输

文摘   2024-07-30 10:32   内蒙古  

第一作者:O. J. Wahab, E. Daviddi

通讯作者:A. K. Geim, M. Lozada-Hidalgo&P. R. Unwin

通讯单位:英国华威大学和曼彻斯特大学

doi:https://doi.org/10.1038/s41586-023-06247-6



Part.01

研究背景


      无缺陷石墨烯在环境条件下对所有原子和离子都是不渗透的。例如:单晶石墨烯完全不被最小的原子氦所渗透,也不被所有离子渗透,包括最小的锂离子。相比之下,石墨烯对质子和氢原子核具有高度渗透性,这一意想不到的结果在业界引发了一场争论。然而,目前关于石墨烯对质子(H+)具有高度渗透性的机理尚未达成共识。



Part.02

科学要点


      使用扫描电化学液池显微镜(SECCM)技术,研究了关于二维晶体中质子传输的机制。研究结果表明,纳米尺度的形貌是保证质子在二维晶体中传输的一个重要参数,二维晶体通常被认为是平面的,并且应变和曲率可以作为额外的自由度控制二维材料质子渗透性。



Part.03

图文解析


      本研究采用的器件由机械剥离的石墨烯和六方氮化硼单层晶体组成,它们悬浮在蚀刻到氮化硅(SiNx)基底上的微米级孔(直径2 μm)上。预计在2D晶体中不存在任何结构缺陷,因为在超灵敏气流实验中研究了数十种类似的膜,没有一个显示出氦的任何渗透。制备好的2D膜的一侧涂有Nafion膜,且Nafion膜与毫米级大小的Pt电极电连接;另一侧暴露在空气中用SECCM进行测量(图1a)。


图1 质子电流通过二维晶体的纳米级可视化


      为了研究二维晶体材料(石墨烯和六方氮化硼)的质子传输能力,作者构建了SECCM装置(图1b)使用压电驱动器将探针精确定位在样品上。SECCM探针中填充0.1 M HCl并插入Ag/AgCl丝作为对电极与参比电极,电解液充当H+的供体,Nafion膜充当H+的导体,二维晶体材料在SECCM探针和Nafion-Pt电极之间构成了一个屏障,只有当H+通过二维晶体膜最终到达Pt电极表面才能发生催化析氢反应(HER),产生的电流信号被SECCM收集并用来定量研究H+的渗透性(图1c)。

      图1d显示了单层石墨烯获得的SECCM成像图,白色虚线内部对应石墨烯负载在Nafion膜区域,虚线外部对应石墨烯负载在不具有H+透过性的SiNx区域。由于SiNx基底阻碍了质子传输,因此只观察到约10 fA的泄露电流(图1e,f)。相比之下,石墨烯与Nafion直接接触的区域,可以观察到约2 pA的质子电流(图1e,g),比噪声水平高两个数量级,说明采用SECCM可实现质子电流通过二维晶体的纳米级可视化。


图2 质子在2D晶体中传输的非均匀性


     为了理解实验中SECCM成像图的空间不均匀性,将其与二维晶体的原子力显微镜(AFM)图像进行比较(图2a-d)。AFM显微照片显示,薄膜不是平坦的,而是包含皱纹,其高度为几纳米,h,宽度为数十纳米,L (h/L≈0.06-0.18)。可以明显观察到SECCM图中一些导电性最强的区域(蓝色像素)与2D晶体中皱纹的位置密切相关。除此之外,白色虚线附近的质子传导率也较高。这两种类型的高导电性区域的共同点在于二维膜都受到显著的应变,结果表明:质子传导率高的区域都受到显著的应变。

     随后,作者使用单层hbN进行了类似的实验,在单层hBN的褶皱区域同样检测到较高的质子电流(图2e,f)。其中,一半SiNx孔径覆盖单层hBN,另一半覆盖四层hBN。四层覆盖的区域明显比单层覆盖的区域平坦,并且没有检测到质子传输,与之前的研究结果一致。

      对相关电流进行了统计分析(图2h),单层hBN的电流大小集中在50 pA附近,在10 pA附近还存在一个肩峰,说明褶皱区域的质子传输速率大约是无褶皱区域的质子传输速率的5倍。石墨烯的电流大小集中在2 pA附近,虽然没有观察到肩峰电流,但在0.1~1 pA区域也出现了离散的电流分布,说明两者应变区域的质子传输速率均远高于非应变区域。

      采用密度泛函理论对应力大小与质子传输速率的相关性进行验证(图2g)。实验结果表明褶皱受到的应力越大,质子传输能力越强。这是由于2D晶体对进入的质子施加的势垒取决于与晶格相关的电子云的密度,受到应力的2D晶体相比没有受到应力的2D晶体具有更稀疏的电子云密度,有利于质子的通过。应变和曲率改变了二维材料内的电子密度分布(2h),这可以增强它们对质子的通过。计算结果表明,通过将石墨烯晶格拉伸约5%,能垒质子的E降低了约20%(图2g)。如果该应变伴随着曲率(如波纹的情况),则势垒进一步减小,使得E达到未应变值E0的约75%(图2g),这意味着质子传输可以在皱纹、波纹和其他形态特征周围的应变区域内加速几个数量级。



Part.04

思考与展望


      该工作表明在没有任何缺陷的2D晶体中,质子渗透性与应力诱导的形态特征相关,应变和曲率可以用来增强二维晶体的质子电导率,为质子传输的相关领域提供了重要启示。




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