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原文链接：10.1016/j.cej.2024.159034
图文解析
图 1. (a) 分子设计。(b) TPI、PPI、PIP 和IPP 优化的 S0 几何构型的单晶结构。(c) 二聚体的π-π堆积距离：TPI、PPI、PIP 的菲啶平面和 PIP 的菲烯平面。
图 2. (a) 室温下 10-5 M 甲苯中的紫外可见吸收和荧光光谱以及 77 K 下甲苯中的磷光光谱。(b) 室温下四种化合物的溶剂化变色 PL 光谱。
图3. (a) TPI、PPI、IPP、PIP的前线分子轨道分布。(b) TPI、PPI、IPP、PIP的高能级激发态分布。
图4. (a)四种发射体的理论计算RMSD结果。(b)TPI、PPI、IPP和PIP的基态重组能以及基态与激发态之间的分子几何差异矢量。
图5. (a) 器件结构和各层材料的能级图。(b) 10 mA cm−2 时的 EL 光谱。(c) 器件的外部量子效率-亮度特性。(d) 器件的亮度 (L)-电压 (V)-电流密度 (J) 曲线。(e) 非掺杂 PIP 的电流密度亮度曲线和 (f) 非掺杂 PIP 的瞬态 EL 衰减曲线。
图 6. (a) 10 mA cm−2 时的归一化 EL 光谱，(b) 外部量子效率-亮度曲线（插图：Ir(ppy)2(acac) 和 Ir(MDQ)2(acac) 的化学结构），以及 (c) 器件 G、R 和 W 的电流效率-亮度-功率效率曲线。(d) 利用 PIP 作为主体的 PhOLED 的拟议机制。缩写：FRET：Förster共振能量转移，DET：Dexter能量转移，lSC：系统间窜改；IC：内部转换；hRISC：高度反向系统间窜改；F：荧光；P：磷光。
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