很显然，这样的两个二极管组合后并不能变成一个三极管，这与我们日常电路设计的常识相背。
那为什么在特殊结构下就能变成三极管呢？
在分析三极管工作原理之前，我们再来回顾下关于PN结导电机制：PN结正、反偏时，多数载流子和少数载流子充当的角色，决定了PN结的单向导电特性；
1. 正偏时：多数载流子载流导电，电流大。
2. 反偏时：少数载流子载流导电，电流小；而此时少数载流子无需抵消PN结的内建电场，反向通过PN结比多数载流子正向通过要容易的多。
三极管放大状态工作原理
接下来我们以NPN型三极管为例（PNP原理相同，将“空穴”看成“正电子”）来推导其导电理论，在典型情况下发射区、基区和集电区的典型掺杂浓度分贝是：10¹⁹ cm⁻³，10¹⁷ cm⁻³和10¹⁵ cm⁻³，如下图所示。
如下左图所示，正常情况下在BE之间加正电压（0.7V），在BC之间加正电压（放大状态），所以B-E结是正偏，B-C结是反偏的，这种情况称为正向有源模式：
1. 发射结（B-E）正偏，而发射区（E区）掺杂浓度很大，所以大量“自由电子”越过发射结注入基区（B区）；
2. 基区（B区）本身非常薄（几um级别），所以在基区的“空穴”不足以将从发射区（E区）涌入进来的大量“自由电子”全部复合，其实绝大部分“自由电子”都不能被基于的空穴捕获；
假如放大倍数是100倍，那么有大约1%的“自由电子”被基区捕获。
3. 集电结（B-C）反偏，所以B-C结边界少子——“自由电子”的浓度为0，如下右图所示：大的电子浓度梯度（有载流子浓度的梯度，说明就有载流子运动）表明从发射区（E区）注入的“自由电子”越过基区（B区）扩散到集电结（B-C）的空间电荷区中；
4. 关于集电结（B-C）反偏，我们再换一种解释：由于从发射结越过到基区（B区）非常多的“自由电子”，而对基区来说“自由电子”是少子，当集电结反偏时，基区的少子：“自由电子”就非常容易穿越空间电荷区进入集电区（C区），从而打通C-E的电流路径；此时集电极C电流Ic的大小主要取决于发射区E载流子对基区的发射与注入，几乎与集电极C电位的高低没有什么关系。
5. 三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，主要取决于基极B的构造：
1, 在放大状态下，三极管的电流主要由发射极E经基极B再到集电极C的“自由电子”，电流在穿越基极时会被截流，存在截流比（ Ib：Ie）问题；
2, 基极B拦截下来的电流是电流Ib，其余的穿过基极B到达集电极C的电流就是Ic；
3, 只要三极管的内部结构确定，电流放大倍数值就确定，是固定不变的（会随IC，温度等变化）；因此放大倍数β的值主要与基极B的疏密度（掺杂浓度及厚度）有关：基极B越密（掺杂浓度高）则β值越低（被截留比例越高），基极B越疏（掺杂浓度低）则β值越高（被截留比例越低）。
我们看到对于三极管来说，电流传输以B区为界分为两部分：
1. B-E处于正偏状态：由于电流调制效应， “空穴”和“自由电子”均参与了电流传输（双极）；
2. B-C处于反偏状态：只有“自由电子”参与了电流传输（单极）。
其它状态工作原理
上述为三极管放大状态的分析，但在饱和状态：B-E结正偏， B-C结正偏；截止状态：B-E结反偏，B-C结反偏；放大状态的理论分析是否还适用呢？
1. 当NPN三极管工作在截止区时：少子分布如上左图所示，由于B-E结和B-C结均反偏，于是每个空间电荷区边界少子的浓度为0；所以基区（B区）没有少子——“自由电子”，B-C反偏就不可能有电流产生。
2. 当NPN三极管工作在饱和区时：少子分布如上右图所示，由于B-E结和B-C结均正偏，因此每个空间电荷区边界少子的浓度都不为0；由于基区（B区）的少子-“自由电子”的浓度还是存在浓度梯度，所以有“自由电子”从基区（B区）扩散到集电区（C区）；
3. 关于饱和区的工作原理，我们用PN结正、反导通理论来解释：由于B-E结和B-C结均正偏，按道理来说，发射区（E区）和集电区（C区）的“自由电子”都会穿越空间电荷区到达基区（B区），所以电流的流向应该是B->E和B->C，但实际上并不是这样的，电流方向是C->B->E；那为什么会这样呢？
1, 我们知道PN结的载流子运动分为两个：漂移运动和扩散运动；漂移运动取决于电场而扩散运动取决于载流子浓度梯度；
举个栗子：新家装修后如何最快速度消除甲醛？答案是：开窗通风；因为要制造尽量大的板材与房间空气甲醛浓度差，这样甲醛才能尽快地从板材扩散到空气。
2, 在实际应用中，B-E正偏电压为0.7V，而B-C正偏电压为0.4V左右（Vce = 0.3V）；那么B-E正偏电压已足以打通B-E空间电荷区，而B-C正偏电压不足以打通B-C空间电荷区；所以集电区（C区）不会有“自由电子”穿越B-C空间电荷区到达基区（B区）；
3, 同时在发射区（E区）不断向基区（B区）注入“自由电子”，其“自由电子”浓度变的非常大，甚至远大于集电区（C区）的“自由电子”浓度，此时平衡被打破：扩散运动大于漂移运动，形成了“自由电子”从基区（B区）到集电区（C区）的电流。
还有一种特殊的情况，即如下图所示NPN三极管工作在反向有源模式，此时B-C结正偏，B-E结反偏。此时可以看成三极管的C极和E极接反了，那在这种情况下的三极管还能正常工作么？
“自由电子”从集电区（C区）注入基区（B区），与正向有源模式相比，基区（B区）中少子的电子浓度梯度方向刚好相反；一般来说B-C结面积比B-E结面积要大的多，因此不是所有“自由电子”都能被发射极收集，而且集电区（C区）和发射区（E区）的掺杂浓度也很不相同，所以在反向有源模式下（E极和C极接反的情况下），虽然也能工作，但三极管的特性会完全不同。
