MOS管的导通过程
1，MOS管特征曲线
在具体分析MOS管导通过程之前，我们首先需要了解下MOS管的特征曲线。
如下图所示以“N沟道增强型MOS管”为例的V-I特征曲线，横轴为VDS电压，纵轴为ID电流。
我们可以将整个曲线图分为4部分：截止区，可变电阻区，恒流区，击穿区。
1. 截止区(夹断区)：
当满足VGS < VGS(th) ，MOS管进入截止区；截止区位于特征曲线下方，表示MOS管不能导通处于截止状态。
2. 恒流区(饱和区)：
当VGS > VGS(th)，且VDS > VGS-VGS(th)时，MOS进入恒流区。
恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化， ID的大小主要决定于电压VGS。当MOS用来做放大电路（例如：运放）时就是工作在恒流区。
3. 可变电阻区：
当满足VGS> VGS(th), 且VDS > VGS-VGS(th)时，MOS管进入可变电阻区。
在可变电阻区，ID随着VDS的增加而上升，两者基本上是线性关系，另外VGS不同RDS的阻值也会不同，我们一般看到的MOS管Datasheet中RDS(ON)参数是可变电阻区的导通电阻值。
2，MOS管导通过程
我们通过之前章节的介绍，知道了想要打通MOS管，是需要VGS达到一定的电压（Vgsth）的。
如左下图所示，以增强型NMOS为例，驱动芯片通过串阻RG来驱动MOS管G极电压来对MOS管进行打通。
如下为MOS管理想的导通过程分析：
1. t0->t1阶段：驱动通过RGATA对Ciss充电，电压VGS以指数的形式从0V上升至Vth。
1, 本阶段由于VGS<VGS(th)，此时MOS管DS未打通，所以ID=0。
2, 此时VGS增加，VGD会减小。
3, 第一阶段驱动对Ciss充电，主要是对CGS充电。
若D与G完全没有回流通路，则不会对CGD放电，D极电压被抬升；事实上如果对于缓启动电路，D极有大电容接至GND，那相当于有一条间接的回流通路从G->D->S。
2. t1->t2：VGS达到MOS管开启电压，进入线性区，ID缓慢上升，至t2时刻ID到达饱和或是负载最大电流。
1, 本阶段VGS>VGS(th)，此时MOS管DS已经打通，ID>0，且随VGS增加ID不断增大。
2, 此时由于D与S之间已导通，G与D之间的回流通路通过ID建立了起来，形成CGD的放电回路，对CGD进行放电；同时，继续对CGS充电。
3, 如下右图所示，t1->t2红色箭头的高度，取决于负载对ID电流大小的需求，并非是一个固定值。
假如ID在VGS=5V即可满足负载对电流的需求，那么t1->t2阶段就将在VGS=5V结束。
4, 如下右图所示，在此阶段VDS一直承受近乎全部电压VDD，所以损耗较大。
3. t2->t3（米勒平台）：t2时刻 ID达到饱和并维持稳定值，MOS管工作在饱和区。
1, 本阶段从ID电流角度来看，VGS电压已将MOS管完全打通，ID保持不变，VGS保持不变， 同时VDS电压开始下降。
2, 此阶段VGD先减小（VD>VG阶段）后反向增大（VG>VD阶段），对于CGD来说先放电后充电，对于CGS则不再消耗电荷（具体原理，下章“米勒平台”详细分析）。
3, 米勒平台阶段ID电流很大，在平台期间MOS管损耗较大，同时它延长了MOS管的开关时间，对于快速开关的应用，要尽量减少米勒平台时间。
4. t3->t4：VDS电压下降到0V，VDD继续给CGS充电，直至VGS = VDD，MOS管完成导通过程。
1, 本阶段MOS管进入可变电阻区，随着VGS不断增加，RDS不断减小，ID值取决于负载的变化。
2, 此阶段VGS增加，VDS基本保持不变，VGD也随VGS同时增加，此时已结束米勒平台，所以CGD远小于CGS，VGS电压得以正常速度增大。
5. MOS管关断过程：是开通过程的反过程，如下图所示。
关断过程与开启过程的步骤刚好相反，所以MOS管关断过程也同样存在较大的损耗。
