1947年BJT发明后，人们终于拥有了“随心所欲”的控制半导体开关。但此时的BJT应用有较大局限性：
1，控制它需要较大的电流（电流驱动）。
2，由于少子电荷存储的问题（反向恢复时间长）限制了其工作频率。
所以，在不久之后就又有人发明了FET，其工作频率要比BJT高的多，而且几乎不需要电流驱动（电压驱动）。
1960年，有人提出使用金属-氧化物来提升双极性晶体管的特性，从此诞生了MOS管。
MOS管的全称是MOSFET，中文全称是：金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。
辣么长的一个名字，我看了一哈脑壳都晕，又该怎么来理解它呢？
首先，“金属-氧化物-半导体”（简称：MOS）展现的是MOS管组成以及结构：
1. G极（栅极）：由金属-氧化物组成（目前栅极导电部分大多采用多晶硅，而非金属），与BJT的B极（基极）不同，MOS管的G极与半导体之间是绝缘的。
2. D极（漏极）和S极（源极）：由半导体组成，同BJT类似（具体结构相差很大）。
所以MOS管主要有：金属（多晶硅），氧化物（绝缘层）和半导体所构成。
其次，“场效应晶体管”（FET）体现了MOS管的工作方式：
1. 场效应：是利用控制输入回路的电场效应（电压）来控制输出回路电流，它利用加在G极（栅极）上电压产生电场，使得沟道上靠近G极形成多数载流子的通道；所以MOS管只有多数载流子参与导电，是单极型晶体管。
2. 晶体管：指以半导体材料为基础的单一元件，它遵循PN结理论与工作原理。
因此，我们从MOSFET的名字中，了解到了它最重要的信息：绝缘栅-场效应-晶体管-开关。
接下来，我们先来看它的结构。
MOS管结构
MOS场效应管分为：增强型和耗尽型；同时由于沟道的不同可分为：N沟道和P沟道。我们接下来根据MOS管的不同结构，来看它们之间的差别。
MOS管从结构上由4部分组成：
1. 电极D：Drain，漏极。
2. 电极G：Gate，栅极。
3. 电极S：Source，源极。
4. 衬底B：衬底B同S极相连。
这里关于MOS管Symble，有几个疑问需要解答一下：
1. MOS管中的寄生二极管是怎么来的，N沟道和P沟道MOS管的寄生二极管方向为什么不同？
由于衬底B同S极连接在一起，如下图N沟道MOS管为例，S和B之间等电位，而B和D之间是一个PN结（二极管），所以从S到D有一个正向寄生二极管。同理P沟道MOS管的寄生二极管方向为D到S的寄生二极管。
2. Symble中的G、D、S连接关系？
Symble中中间短横线表示衬底B，表示S与B的连接关系，不管是NMOS或PMOS，S极都和衬底连在一起，在Symble中可以用来判断S极。
3. Symble箭头表示什么意思？
箭头表示MOS管中衬底耗尽层（PN结）的指向，如果是NMOS管衬底的耗尽层（PN结），那么PN结的方向是衬底B指向反型层；同理如果是PMOS，那么PN结方向是反型层指向衬底B，用来判断NMOS还是PMOS；同时箭头与寄生二极管的方向相同。
