MOS管打开时，是否正向和反向都能导通？
答案是肯定的，MOS管打开时，正反都能导通。那么同时也会有两个疑问：
1，为什么MOS管Vds加正电压，或加反向电压同样都能导通；
2，为什么在电路设计中几乎都是Vds正电压应用，而很少Vds反电压的应用。
如果阅读过程中存在一些术语或原理上的疑问，请关注个人主页“专栏”中的“半导体元器件基础”专题，里面会有更基础的理论解释。
1，MOS管导通的原理
MOS管的全称是MOSFET，中文全称是：金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），一个器件的名字往往体现了它的最重要特点，我们来理解下它的名字：
首先，“金属-氧化物-半导体”（简称：MOS）表现了MOS管的组成及结构：
1. G极（栅极）：由金属-氧化物组成（目前栅极导电部分大多采用多晶硅，而非金属），与BJT的B极（基极）不同，MOS管的G极与半导体之间是绝缘的；
2. D极（漏极）和S极（源极）：由半导体组成，同BJT类似（具体结构相差很大），所以MOS管主要有：金属（多晶硅），氧化物（绝缘层）和半导体所构成。
其次，“场效应晶体管”（FET）体现了MOS管的工作方式：
1. 场效应：是利用控制输入回路的电场效应（电压）来控制输出回路电流，它利用加在G极（栅极）上电压产生电场，使得沟道上靠近G极形成多数载流子的通道；所以它只有多数载流子参与导电，是单极型晶体管；
2. 晶体管：指以半导体材料为基础的单一元件，它遵循PN结理论与工作原理。
看了MOS管的名字介绍还是一头懵逼啊，接下来咱们以NMOS为例来介绍其导通原理，从而更好理解MOS管的工作方式。
NMOSFET的结构图如下所示，其实由四部分组成：源极S，栅极G，漏极D和衬底B。我们可能很少关注到衬底B这东西，咱们下面会再讲到它。
那么NMOS管工作时候是怎样的呢？如下图所示，在G和B（衬底）之间加一个电压（而非GS之间），由于G极是“绝缘”栅结构（G和B的中间有一层绝缘材料），那么G和B完全可以看成一个平板电容器（这个“电容”是MOS管工作的核心），所以当G极上聚集了大量的“正电荷”时，必然会在B衬底靠近G极附近感应出“负电荷”。
虽然B是P型半导体（空穴占大多数），但只要G和B之间的电压足够大，则必然能“拉扯”出足够多的“自由电子”聚集在G极下方（D和S之间）的通道上。
好，那么S极和D极都是N+半导体，它们都带有很多“自由电子”，而S和D之间也有很多“自由电子”，这是啥呢？这不就是一根“金属导线”嘛~ 我们对铜导线有电压的方向要求么？没有。那么自由电子是从S到D还是从D到S有什么差别嘛？没有任何差别。
——PMOS的原理也是一样的，问题的关键是我们如何去理解“空穴”，简单来说“空穴”可以看成是自由移动的“正电子”。
2，为什么实际电路设计中的电流大多是D->S方向
我们还是看上面的这张图，上面说了NMOS管要导通，电压是加在G和B上的（Vgb），那为什么我们在器件资料上看到的MOS管开启电压是Vgs呢？
那时因为MOS管内部已经将S极和B极连在了一起，S极和P衬底是等电势的，我们加了Vgs电压就相当于在Vgb上加了一个电压。
从NMOS管的结构来看，S极到D极是：N+（S）->P（B）->N+（D），现在S和B是短路的，那么S极到D极就变成了P（S/B）->N+（D），这个就是一个妥妥的二极管了（体二极管）。所以如果在Vds上加一个负电压，就算MOS管不打开，电流同样能够通过该体二极管流过。
此时MOS管就失去了它开关的作用了，我们使用MOS管，是要实现一个可控的“开关”，但是如果设计Vds反向电压，此时就只能作为“二极管”使用了，那为什么不直接选用一个二极管呢？
当然有一些应用（BUCK开关电源的下管）会用到该“体二极管”作为短时续流二极管，但还是需要有关断MOS管的应用的，如果DS之间反向设计会有问题。
