虽然我们在实际应用中，三极管经常被用来作为放大电压的器件，例如：低电平转高电平，信号放大电路等等。
但三极管本质上是电流放大的器件，我们只是利用了欧姆定律：U=I*R，讲三极管的电流变化转化到电压变化上。
三极管的核心方程是：ΔIc= β*ΔIB 和Ic = (/β)*IB；这是我们在讨论三极管主要参数前需要明确的。
接下来我们看三极管的主要参数：
1. 电流放大倍数，如下图所示：
1, 共发射极直流放大系数/β（hFE）：表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，/β ≈ IC/IB。
一般三极管器件资料中给出的放大系数，就是直流放大系数；根据该参数来判断三极管是否处于放大状态；Ic电流达到一定程度后放大系数急剧衰减，实际应用需关注该曲线。
该曲线体现了IB与IC的关系，当VCE越大那么集电区（C区）所能获得的“自由电子”电流IC比例更大。
2, 共发射极交流放大系数β（hfe）： 表示三极管共射极连接且VCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比， β= ΔIC/ΔIB；β过小电流放大作用小，β过大则漏电流大、稳定性较差。
β与/β参数虽然含义不同，但对于放大区输出曲线较平坦部分，两者差异很小，可以相互替代使用。
3, 共基极直流放大系数： 表示三极管在共基极连接时，某工作点处直流IC与IE的比值：/α= (/β)/(1+/β) 。
我们根据条件：IE=IC+IB，而IC=(/β)*IB；所以可得到： IE=IC（1+1/(/β)）。
4, 共基极交流放大系数：α= β/(1+β)。
2. 极间反向饱和电流ICBO和ICEO 。
1, C-B反向饱和电流ICBO：E极开路，在C极与B极加一定反向电压，对应的反向电流。
ICBO是B-C结的反向电流（E开路），由于B区非常狭窄，所以ICBO比一般PN结的反向电流要大。
2, 穿透电流ICEO ：B开路，C极与E极之间加一定反向电压，对应的反向电流。
ICBO和ICEO的关系： ICEO =（1＋/β）ICBO。
ICEO是输入端（B极）开路时的漏电流，在CE两端加电压，此时B-C结反偏，B-E结正偏，处于放大状态；ICEO与ICBO的关系由理论推导出结论。
ICEO为E->B->C的电流，其穿越电流越大则E-B结反向电流越大，如PN结章节所述，反向电流取决于少子浓度，随温度增加而急剧增大。所以ICEO越大说明三极管工作越不稳定，温度稳定性差，热噪声大。一般小功率三极管ICEO为几微安以下。
3. 频率参数：反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围； 三极管由PN结构成，在信号跳变过车中，其必然也存在反向恢复时间和工作频率的限制。
1, 共射极截止频率ƒβ：三极管放大系数β是频率的函数，理想情况下中频段β= β0与频率无关，但随着频率的升高， β值线性下降；当β下降到1/√2（3dB）时，所对应的频率。
2, 共基极截止频率ƒα：随频率升高，当α下降到1/√2（3dB）时，所对应的频率。
3, 特征频率ƒT：三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率。
三极管工作在ƒβ~ƒT时， β与ƒ几乎成线性关系：ƒ越高，β越小；当工作频率ƒ＞ ƒT 时，三极管失去了放大能力。
4. 电压力极限参数。
1, 集电极最大电流ICM：集电极允许通过的最大电流；当IC大到一定程度时，电流放大系数β值将逐渐下降，使β明显减少（1/2或2/3）的IC即为ICM。
2, 反向击穿电压V(BR)CEO：指基极开路时，加在集电极与发射极之间的反向击穿电压。
3, 反向击穿电压V(BR)CBO：指发射极开路时，加在集电极与基极之间的反向击穿电压。
4, 反向击穿电压V(BR)EBO：指集电极开路时，加在发射极与基极之间的反向击穿电压。
5, 三极管反向工作电压要 < 1/2(或1/3)* V(BR)，避免三极管在实际应用中被损坏。
6, 集电极最大允许功耗PCM： 指三极管集电结受热引起三极管参数的变化不超过规定的允许值时，集电极耗散的最大功率，PCM = IC*UCE ；当PC大于PCM时，三极管参数发生大变化，且容易被损坏。
5. 温度对三极管参数的影响。
1, 对β的影响： β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
2, 对反向饱和电流ICEO的影响：ICEO由少子漂移运动形成，与环境温度关系很大，ICEO随温度上升急剧增加（温度上升10℃，ICEO增加一倍）。
3, 对发射结电压VBE的影响： 温度上升1℃，VBE将下降2～2.5mV。
