MOS管的阈值电压
MOS管的阈值电压，是我们接触MOS管第一个要关注的参数。我们去选择一款MOS管往往要是先看其阈值电压的大小。以确保在我们的电路设计中，MOS管能被正确的开启和关断。
那么我们如何再更加深入一层去理解“阈值电压”呢？
首先，我们先从对MOS管应用的直观理解：MOS管临界导通状态所需加在栅极（G极）与源极（S极）上的电压。
我们知道MOS管与BJT不同，MOS管需要在栅极（G极）和源极（S极）加上大于某个偏置电压，氧化物-半导体界面才能有“自由电子”。
那这个偏置电压点是多少呢？
对于能带理论来说，MOS管的阈值电压就是：达到阈值反型点时所需要的栅压。
对于P型衬底来说与阈值反型点是：当表面势Φs = 2*Φfp时的器件状态，如下图所示。
该状态下氧化物-半导体界面的“自由电子”浓度等于“空穴”浓度，如果大于该阈值电压，导带就会向费米能级轻微弯曲；同时表面“自由电子”的浓度是表面电势的指数函数（以10的幂次方增加）。
此时空间电荷的宽度（Xd）的改变却是微小的：再增加VGS电压，氧化物-半导体界面处会增加“自由电子”电荷密度，而不是增加空间电荷区的宽度。
如下图所示为P型衬底MOS管G、S极加正偏电压，使处于阈值反型点时的电荷分布情况：
1. 此时半导体中空间电荷宽度已经达到最大值。
2. 氧化层在氧化物-半导体界面相邻处存在正值的净固定电荷Qss（与制造工艺中SiO2的氧化过程相关），根据电荷守恒原则：QmT+Qss=QSD(MAX)；这是耗尽层单位面积空间电荷的最大值。
3. 增加的栅压能够改变穿过栅极氧化层的电压，从而改变表面势Φs；对于给定的半导体、栅氧化层和金属的材料，阈值电压是半导体掺杂、栅氧化层电荷Qss和栅氧化层厚度的函数。
