如果从这个定义出发，我们广义的来看三极管，它就包括了众多种类的器件：双极型晶体管（BJT），达林顿管，晶闸管，场效应管（MOS）以及IGBT等等。
但是，当你听到有人说他设计的电路中需要用到一个三极管，那绝不是需要一个达林顿管，晶闸管，MOS管和IGBT。他就是特指：双极型晶体管（BJT），以至于大多数人都忘记它本来的名字，你可知“Triode”不是它真姓。
双极型晶体管全称：双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），我们就从它的本名出发来分析BJT的结构特性：
1. 双极性：“自由电子”和“空穴”两种载流子流动参与导电（MOS管是单极性）。
2. 结型：由两个PN结背靠背组成。
我们从功能角度来给三极管下一个定义：一种与其它电路元件结合使用时可产生电流增益、电压增益和的信号功率增加的多结半导体器件。
因此三极管是有源器件（二极管是无源器件）。
我们现在看来似乎非常简单的三极管其实并不简单：1947年12月，贝尔实验室的科学家们发明了点接触形式的双极性晶体管。1948年，肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。BJT是电子学历史上具有革命意义的发明，其发明者：威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。
此后基于BJT又发明了开关速度更快、损耗更小的MOSFET。从此，BJT和MOSFET除了作为开关器件应用的同时，也成为了现代大规模集成电路的基本逻辑单元。
三极管（BJT）的结构
如下图所示，三极管有三个掺杂不同的扩散区和两个PN结，根据两个PN结组成结构的不同，可分为两种不同结构的三极管：NPN型和PNP型；简单来说三极管就是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结：
1. 发射结（BE结）。
2. 集电结（BC结）。
从两个PN结看，将整块半导体分成了三部分：
1. 基区。
2. 发射区。
3. 集电区。
同时对外呈现三个电极：
1. B极：基极（Base）。
2. C极：集电极（Collector）。
3. E极：发射机（Emitter）。
从上图三极管的简化结构图中，以NPN为例我们看到：
基区（B）的宽度很小，掺杂浓度中等（P+），发射区的掺杂浓度最高（N++），集电区掺杂浓度最低（N）。
这些特性都对三极管工作特性有非常大的作用。
如下图为集成电路工艺制造的NPN型三极管的截面图，我们可以明显看到实际结构并不像简化结构中那么简单；造成实际结构复杂的原因有两个：
1. 各端口引线要做在表面，为降低半导体电阻和引线与半导体的接触电阻，必须要有重掺杂的N++型掩埋层。
2. 一片半导体材料上要制造很多个三极管，彼此之间要隔离开来，需要通过添加P+型区形成反偏的PN结或添加氧化物，来实现器件的隔离。
通过上图，我们看到三极管并非是对称的器件：
虽然从示意图中可以是2个N型半导体夹1个P型半导体，但发射区和集电区的掺杂浓度和几何形状都是有很大的不同。
所以三极管并非是有两个二极管简单拼凑而成，如下图所示，每个区都有各自不同的特点：
1. 发射区高掺杂：发射区半导体掺浓度高（载流子多）、面积小，便于放射电子。
2. 基区尺度很薄：3~30μm，掺杂浓度低。
3. 集电结面积大：集电区半导体掺杂浓度低（载流子少）、面积大，便于收集电子。
