半导体最终是需要通过金属接到管脚上，才能在电路上真正被使用起来，如果金属和半导体接触会产生肖特基势垒而产生一个导通电压，这并不是我们所希望看到的。
我们知道：与阴极接触的N+半导体就是为了减小半导体与金属的接触电阻。其实在理论上有两种方法可以减小接触电阻：
1，降低势垒高度；
2，减小势垒宽度，使“自由电子”以隧穿方式穿过。
1. 降低势垒高度：选择不同的材料使半导体费米能级小于金属费米能级（φm<φs），接触面的能带如下图所示；
1,如下右图所示，在加正电压时：电子很容易向低电势方向流动，即：从半导体进入金属；
2, 当加负电压时，电子很容易穿过势垒从金属进入半导体；这种结就是：欧姆接触；
2. 减小势垒宽度：通过重掺杂的方式使形成的势垒宽度很窄，这样电子可以不用跃过势垒而直接通过“隧穿”流过接触面，正向偏压、负向偏压与VI特性(黑色曲线)如下图所示。
隧道效应的欧姆接触电阻是依赖半导体掺杂浓度的函数（随掺杂浓度呈指数规律变化），由于“N—N+”结也存在一个势垒，所以“N—N+”结也存在单位接触电阻，这个结将决定结总阻值的大小。
那如果是金属和P型半导体呢，它们是否会形成肖特基势垒，还是处于低接触电阻状态？
1. 如下图所示当φm<φs时，由于P型半导体多子是“空穴”，接触后P型半导体“空穴”流向金属，留下带负电的电离受主杂质；此时空间电荷区能带向下弯曲，形成空穴阻挡层；
2. 当φm>φs，金属与P型半导体接触时，空穴从金属流向半导体表面（自由电子从半导体向金属实现电子发射，在半导体中留下很多“空穴”），形成正从半导体到金属方向的内建电场，能带向上弯曲，使得半导体的P型程度更深，自由电子很容易从金属流向半导体中的空穴；表面的空穴浓度远大于体内，因而形成一个高导电区，称之为反阻挡层，这种结也是欧姆接触。
选择金属与半导体结合的费米能级的大小，可确定金属与半导体之间的阻挡状态（降低势垒高度方法），如下图（φm< φs）所示；
