MOS管参数
1. VGS(th)：增强型MOS管的阈值开启电压，是在一定VDS条件下，开始出现ID电流时所需的VGS电压。
不同的芯片，对VGS(th)的条件有所不同，如下图所示，VGS阈值电压是在一定测试条件下给出的，使用时需注意。
2. VGS(off)：耗尽型MOS管的阈值关闭电压，是在一定VDS条件下，使得ID电流近似等于0时的VGS电压。
同VGS(th)一样，厂家也是给出该值在特定测试条件下的值。
Ps：任何只看参数而不看参数测试条件的行为都是耍流氓~
3. RGS(DC)：在VDS=0时，VGS电压与IG电流的比值。
该值表示MOS管的直流输入电阻，经常用栅极电流表示。
4. gm（gfs）：低频夸导，VDS为常数时，D极电流的微变量与引起这个变化的VGS电压微变量之比；跨导是衡量MOS管VGS电压对ID电流控制能力的一个重要参数。
单位VGS变化引起的ID极电流变化，单位为S，例如gfs=3S，表示：VGS变化1V，那么漏电流会增加3A；该参数会用于开关电源电路、缓启动电路MOS管的开启过程分析。
5. RDS(on)：MOS管处于导通状态下的等效阻抗，导通电阻越大，则开启状态下的损耗越大。
RDS(on)是MOS管在未进入饱和区之前的导通阻抗，此时MOS管DS两端的电压，随着电流线性增加，我们将VDS随ID增加的斜率等效成一个电阻。
1, 如下图所示，RDS(on)呈正温度特性：随温度的上升，电阻增加；温度上升对沟道“自由电子”电荷浓度影响不大，但会增加原子振动频率和幅度，阻碍电流；温度特性更近于金属。
2, RDS(on)电阻大小与施加在GS的电压成反比，GS电压越大，则沟道中“自由电子”电荷浓度增加，导通阻抗变小。
6. MOS管寄生电容容量值越小，Qg越小，开关速度越快，开关损耗越小；如同金属-氧化物-半导体电容是MOS管结构的核心，MOS管寄生电容和QG是MOS管应用的核心。
寄生电容是MOS管结构中不可避免会存在的，主要是G极与衬底以及和S、D端之间的寄生电容；如下图所示，我们可以清晰的看到MOS结构中各寄生电容，不同结构MOS管之间有很大的差别。
1, CGS：G极与S极之间，以及G极与衬底之间靠近S端的平板电容之和。
2, CGD：G极与D极之间，以及G极与衬底之间靠近D端的平板电容之和。
3, CDS：由于S与衬底连接，所以CDS为D端与衬底之间的PN结电容。
4, Ciss：输入电容；将S和D极短接，测试G和S之间电容，zCiss=CGS+CGD；当输入电容充电/放电至阈值电压后，MOS管才能开启/关断。
Ciss会增加驱动功率，高频应用时会影响开关速度，降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流，提高开关速度。
5, Coss：输出电容；将S和G短接，测试D和S之间电容，Coss=CDS+CGD。
6, Crss：反向传输电容；测试D和G之间电容，Crss=CGD；该电容称为米勒电容，它影响开关的上升/下降时间，关断延时时间。
米勒电容的大小决定了MOS管开关时米勒平台时间的长短，米勒平台对于MOS管来说，是内部损耗较大的一个阶段。
7, QG：G极的总电荷量，MOS管达到导通状态时所需的电荷量。
既然已经有CGD,CGS参数，而Q=C*V，就能轻松计算Q的值，为什么需要单独的Q参数？这个问题值得深入思考；事实上通过后续MOS缓启动电路开启过程的分析，我们就会知道：QGD与CGD和QGS与CGS之间的关系是存在实际物理意义上差别的，不可等价计算。
8, QGS：G极/S极之间所需的电荷量。
打开MOS管并使MOS管达到最大通流能力所需的电荷量，后续章节具体分析。
9, QGD：G极/D极之间所需的电荷量。
QGD决定了米勒平台维持时间。
10, Q = C*V，开关时间t=Q/I，电荷容量越大，所需的开关时间T也越大，开关损耗越大。
开关损耗，主要是MOS管在开启或关闭时间段内，由于此时MOS管存在大电流，且DS之间存在高压降，所以存在较大的损耗，减小损耗的关键在于：缩短开关过程时间。
