MOS管的参数（2）
7. MOS管内部寄生二极管。
寄生二极管对于MOS管来说是天然带来的（由MOS管的结构所决定），所以它必然会导致MOS管在某一方向（S->D或D->S）上，可以不经过Vgs打开而直接导通。
例如：
NMOS寄生二极管方向是：S->D。
PMOS寄生二极管方向就是：D->S。
在实际应用中，我们必须要注意到这一点，否则MOS管将会变成一个二极管，而失去它应有的“可控开关”作用。
1, 当G/S极电压VGS=0V时，取决于内部二极管的正向V-I特性。
2, 当G/S极电压VGS加正向偏压，即MOS管处于导通状态时，与导通阻抗特性一致。
二极管的V-I特性与MOS管本身是否正常开启有关，如果MOS管没有开启（VGS<VGS(th)），那么只取决于二极管本身的导通特性。
但若MOS管已经处于导通状态，内部寄生二极管将被旁路或则被分流，具体取决于VSD电压，VSD越大二极管分流越大：此时MOS管SD通路与寄生二极管并联，如果SD通路的电阻越大那么二极管分流的电流越大。
8. IDSS：D极与S极之间的漏电流，VGS=0V，D与S之间加VDDS。
9. IGSS：G极与S极之间的漏电流，VDS=0V，G与S之间加VGSS。
10. IDM：脉冲D极电流，反映器件处理脉冲电流的高低，对于一定的VGS电压，MOS管导通后，存在最大的漏电流。如下图，如果工作点位于可变电阻区域内，漏电流增大，会提高VDS电压，因此增加导通损耗，长时间工作会导致器件失效。
11. V(BR)DSS：在特定温度和GS短接情况下，流过D极电流达到一个特定值时的DS电压，雪崩击穿电压，V(BR)DSS是正温度系数。
12. IAS：单发雪崩电流，峰值漏极电流。
13. EAS：单发雪崩能量，一次雪崩期间所能承受的能量极限(Tch<150c)。
14. EAR：连续雪崩能量，所能承受反复出现雪崩的能力极限(Tch<150c)。
MOS管的本质也是由PN结构成，所以必然会存在加反压造成雪崩的情况，雪崩不造成器件损坏的必要条件是：其结电压不能超过最大允许电压。
我们在MOS管的实际电路应用中，会针对雪崩导致器件损坏做特定的防护设计。如下图所示，特别是MOS管和电感器一起使用时，当MOS管关断瞬间由于电感器电流不能突变的特性（电感器储存的磁场能量需要释放），会导致MOS管两端产生一个大电压。此时需要设计能量吸收电路，避免MOS管被打坏。
15. Tch：MOS管沟道上限温度。
16. Tstg：器件保存温度范围。
17. Rthjc/Rthja：器件热阻，表示热传导难易程度，热阻值越小，表示散热性能越好；如果没有相关参数，可以用右侧公式估算。
我们可以将热阻等价成电阻，热耗等价成电流，温度等价成电压；那么我们将得到一个公式：T(j-c) = Rthjc * P；这就是稳态系统散热的计算公式。
