我们平时接触的大多数MOS管是增强型MOS管，即：在Vgs没有加正向电压时，MOS管是处于关断状态的。然而在实际电路应用中，有各种不同的需求，于是创造出来了多种不同类型的MOS。
这些不同类型的MOS管的工作原理有什么不同呢？我们接下来做简要介绍。
1，增强型NMOS管
增强型NMOS管是N+P+N的结构，中间为P型衬底，所以沟道在默认情况下并没有“自由电子”可供通电流，同时P型衬底与D和S的交界处会形成两个PN结—“空间电荷区”（耗尽层）。
接下来我们看下在不同电压条件下的状态：
1. 当Vgs=0V时，DS之间由两个二极管背靠背串联，所以在DS之间加电压不会形成电流，处于断开状态。
2. 当0<Vgs<Vth时，G极指向衬底方向的电场使得空穴向下移动，“自由电子”向上移动（漂移运动），在衬底上表面形成耗尽层，但还是没有电流。
3. 当Vgs>Vth时，G极下衬底形成N型电导沟，当DS之间加电压可产生电流。
4. 当Vgs越大，N沟道越宽（“自由电子”浓度越高），DS之间的等效电阻Rds越小，在相同Vds电压作用下，漏极电流越大。
2，耗尽型NMOS管
耗尽型NMOS管，制造时在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子（带正电），此时沟道在默认条件下（Vgs无外加正向电压）通过本身自带正电场“吸附”了一些“自由电子”，并形成导电通道。此时DS之间的电流通道已背打通。
所以耗尽型NMOS相对增强型NMOS在V-I曲线上，呈现电压偏移特性，需要在Vgs加上负电压才能关闭MOS管。
1. 当Vgs=0V时，就存在导电沟道，如果在DS极之间加电压Vds，就会有Id电流。
2. 当Vgs>0V时，沟道增宽，ID电流进一步增加。
3. 当Vgs<0V时，沟道变窄，加ID电流减少。
3，PMOS管
P沟道MOS管结构与N沟道MOS管互为对偶关系，此时需要G极带负电才能“吸附”带正电的“空穴”。所以使用PMOS管时Vgs、Vds的极性与N沟道刚好相反，即Vgs要加负电压。
1. P沟道增强型MOS管Vgs(th)为负值，当Vgs< Vgs(th)时导通。
2. P沟道耗尽型MOS管Vgs(off)为正，Vgs< Vgs(off)时导通。
那么，大家可能又会产生一个疑惑：P型半导体只有 “空穴”，而几乎无“自由电子”，为什么N型衬底在默认情况的沟道通道上有“自由电子”时不能导通，反而需要将“空穴”吸附到沟道通道才能导通呢？
好，我们再强调一次：“空穴”可以等价看成 “正自由电子”，它可以移动，但质量略大于“自由电子”（迁移率较低）。具体请回顾之前介绍PN结章节内容。
4，功率MOS管
功率MOS管从字面上理解是为大功率、高耐压应用所设计；在结构上功率MOSFET分为： LDMOS和VDMOS；
所谓LDMOS是指：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管；如下图所示。
那这样结构的功率MOS管相对普通MOS管有哪些优势（不同）呢？
1. 在相同源/漏（S/D）区域注入两次：一次注入浓度较大的砷（5+），另一次注入浓度较小的硼（3+）。
2. 在高温推进过程，由于硼（3+）扩散比砷（5+）快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远， 从而形成一个有浓度梯度的沟道，沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。
3. 为增加击穿电压，在源（S）区和漏（D）区之间有一个漂移区，漂移区的杂质浓度比较低，因此当接高压时，漂移区能够承受更高的电压。
LDMOS管的优点：兼容性高，工艺简单，耐高温性能稳定。
LDMOS管的缺点：单元面积大、成本高，导通电阻和击穿电压折中。
LDMOS管是为蜂窝电话技术开发的，用于微波低端大功率发射器件。
VDMOS是指：纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其结构同IGBT非常类似（少了一个P型底）：
1. 衬底为高掺杂N+，上面为N-的漂移层，再上面为两个连续的P-扩散区，且沟道在P-区域形成。
2. 在P-区域内部扩散形成的两个N+为源极。
3. 硅片表面形成的栅极氧化物，形成高质量的氧化层，从而产生沟道。
VDMOS的优点：导通电阻小、单元面积小。
VDMOS的缺点：开启电压高（与MOS兼容性低）、成本高、工艺复杂。
VDMOS管广泛应用于各种领域：电机调速、逆变器、开关电源、电子开关，保真音响、汽车电器以及电子镇流器等。
