MOS管应用-开关电源
MOS管的另一个非常重要的应用是在开关电源上。但是我们现在看到很多开关电源的设计，只需要外部接一个电感器而没有MOS管了，这是因为有很多开关电源厂家将MOS管/二极管等集成到了电源模块内部，集成的MOS管又更好的一致性，而且更可控。但就其原理来说，开关电源电路是离不开开关管和续流二极管（MOS管）的。
那么，MOS管凭啥能作为开关电源电路中的优选呢？
这是因为MOS管由于开关速度快，通流能力强，非常适合在低压，大电流，中等功率（几百瓦）以下的应用，能有效提升电源转换效率。
如下图所示为BUCK开关电源的驱动部分电路，以及PWM对应的上管和下管控制波形。
1. 开关电源的开关（对应上管）和续流二极管（对应下管），可以使用MOS管来实现，而MOS管上管和下管开启/关闭的时间，决定了MOS管的开关损耗：
从MOS管的导通过程分析中，我们看到MOS管开关损耗主要发生在t2->t4阶段，即从MOS管打开至米勒平台结束这个阶段，而其中的重点又是米勒平台阶段。
1, 上管上升时间：Tru；
2, 上管下降时间：Tfu；
3, 下管上升时间：Trl；
4, 下管下降时间：Tfl。
2. 如果上下管同时导通，会导致电源到地短路；要避免上下管同时开启，在开启上下管之间增加死区时间：
死区时间的设计标准已经历了好几代，而且很多开关电源芯片已预留了死区时间，但在具体设计时外部的条件：MOS管选型，驱动走线设计等，都会影响死区的裕量，有可能还是会导致上下管同时导通。
1, Tugflgr(uG to lG dead time)；
2, Tlgfugr(lG to uG dead time)。
3. MOS管寄生二极管续流和寄生电容的影响：
1, 寄生二极管是MOS管固有的，由P衬底和N（D极）之间形成，在BUCK电源中用于死区时间内提供电感续流电流；
2, CGD容值的大小会影响米勒平台时间的长短，米勒平台时间越长，MOS管的开关损耗就越大，加强驱动能力（1A以上），可以有效减小米勒平台时间；
3, CGS电容和PCB线路寄生电感（L）可能会谐振产生LC振荡，导致MOS管误开启/关断，需要在G极走线上串联电阻（1/2.2ohm），并联K级阻值电阻，防止振荡及EMI辐射问题。
4, 在D、S之间增加电容，用于吸收开关过程中的浪涌电流。
