肖特基二极管的核心是由金属和N型半导体所组成的，这看起来似乎很简单，但实际结构比想象中要更加复杂一些。如下图所示，为肖特基二极管结构示意图，其主要有如下几部分组成：
1. 阳极（金属）：由金属（金、银、铝、钼等材料）组成，用SiQ2来消除边缘区域电场，提高二极管反向耐压值。
2. 阴极主要由如下几部分组成：
1，N-外延层：低掺杂。
2，N型基片：小通态电阻，掺杂浓度为N-的100倍。
3，N+阴极层，用于减小阴极“接触电阻”。
4，阴极金属。
3. 通过调整结构参数，在基片和阳极金属之间形成合适的肖特基势垒。
结构示意图如下所示。
我们再看了肖特基二极管的结构之后，会产生一个疑问：为什么肖特基势垒区的N半导体的掺杂浓度要低一些，而与阴极金属接触的N半导体掺杂浓度要更高呢？
要引入更复杂的结构（花费更多的成本），肯定是有原因的：
1. 虽然还没讲到：为什么N区会失去电子而金属反而能得到电子；但事实就是：肖特基二极管中的金属替代了原来P型半导体，与N半导体之间建立了肖特基势垒，而且内建电场的方向是N半导体—>金属。
2. 参考PN结能带图，如果N区的掺杂浓度变大，那么肖特基势垒区间距就变小。
由于金属不存在空穴，从N区跨越到金属的“自由电子”在金属表层，所以肖特基二极管势垒区只存在N区中，间距远小于PN结（结电容是否相对来说更大呢？反向击穿电压是否相对更小呢？）。
根据 “隧穿效应”原理：如果势垒区很小，那么在加反向电压时，金属侧“自由电子”能很容易的“隧穿”到N区，形成电流。
3. 高浓度掺杂的N区与金属的“接触电阻”就会便非常小（后面“欧姆接触”章节内容进行具体的原理分析），这也解释了：为什么与阴极金属接触的N区是高掺杂的。
4. 如果N区的掺杂浓度很小，肖特基势垒区宽度足够大，就能够增加肖特基反向耐压；但肖特基势垒区天生比PN结距离要小，所以其反向电流会相对更大，反向耐压会更小。
肖特基二极管主要有两种工艺结构：点接触结构和平面接触结构。两种结构各有特点，就我个人来说一般使用的是平面接触结构的肖特基二极管。
接下来分别简单介绍两种工艺结构：
1. 点接触：用一根尖端细金属丝与半导体接触制成，用机械接触或用放电工艺得到一个很小的合金结；
2. 平面结构是我们最常用的，它有很多不同的结构用于改进反向电压：
1, 平面结构比点接触的正向压降低，电流大，反向击穿电压有所提高；但是势垒结边缘电场集中，反向漏电流更大；VRM<60V。
2, 为了缓和边缘电场集中问题，采用了金属场板结构。
3, 为进一步改进边缘电场，增加P型保护环结构。
