米勒效应是米勒老先生发现：通过运放将相关反馈电容容值增加了n+1倍。
但这也还没扯到MOS管，那到底跟米勒平台有什么关系呢？
如下图所示为MOS管的共源电路（common source）：D为输出端，S接地，G为输入端。
1. 根据 MOS的小信号模型（具体可参考“半导体物理”相关书籍中的MOS管小信号分析章节）， 形成一个反向电压放大器，其等效电路可以由右下图来表示；
2. CGD是跨接在输入（G）和输出（D）上的反馈电容，不同MOS管放大系数不同，最大可达几百倍。
MOS管的开启过程就是MOS共源电路工作模式，此时CGD将会被放大n倍，变成米勒电容。
所以正常情况下CGS比CGD要大很多，但一旦进入米勒平台时CGD反而远大于CGS了。
如下图所示，为什么CGD很大，CGS小就会导致VGS保持不变呢？
我们看到大多解释：在米勒平台阶段CGS相比CGS大很多，导致同时对CGS和CGD充电时，绝大多数电流通过CGS->D端->S端这条路径，而CGS只有非常小的电流流过，所以VGS基本保持不变，这个解释大家自行理解，我持保留意见。
那关于MOS管米勒平台，我是怎么去更感性理解它的呢？
我们假设负载电流在米勒平台阶段需求电流保持不变，分如下几个步骤来分析：
1. 首先，MOS管在米勒平台阶段，输入VGS和输出电压VDS是一个负反馈系统(输入VGS和输出电流ID是一个正反馈系统)。
2. 其次，当VDS电压开始变小，MOS管进入米勒平台阶段，在这个电路中我们看到VS是GND不变的，所以是VD电压开始减小，一直到VDS为0时米勒平台结束。
3. 一旦VD减小，我们看到CGD两端的电压开始变小（接VD端电压大，VG端电压小），从VG的角度来看CGD开始充电，所以G端的驱动电流是有通道的。
4. 但是如何确定电流是全部流过CGD而不会流过CGS呢？
5. 我们可以看到：在VDS电压开始变化时，ID电流已经达到最大（根据负载需求，不取决于MOS管本身）。
1, 如果VDS电压下降速度过快（不能维持VGS不变），VGS电压下降（下降速度超过电容电压充电速度），此时MOS管将会被稍微闭合一点，导致RDS增加，那么VDS电压下降速度会减缓，VGS电压会上升。
2, 如果VDS电压下降速度过慢，则必然会导致VGS电压上升（上升速度慢于电容电压充电速度），此时MOS管将会被打开大一点，导致RDS减小，那么VDS电压下降速度加快，VGS电压会下降。
3, 所以正常情况下VGS电压保持固定电平，由MOS管CGS寄生电容和负载电流的大小决定了VDS电压变化速度。
6. 那么如果VG电压突变，是否会导致米勒平台的混乱或变化呢？我们来看如下两个假设：
1, 假设VGS突然变大（RDS变小），此时VDS会突然变小（相对原VDS变化的速度）；由于CGD电容两端的电压不能突变，VG电压就会变小。
2, 假设VGS突然变小（RDS变大），此时VDS会突然变大（相对原VDS变化的速度）；由于CGD电容两端的电压不能突变，VG电压就会变大；所以MOS管的反馈机制会调整VGS的变化，就算外界干扰，也能自动调整回平衡状态。
所以从我个人对MOS管米勒平台分析来说：米勒平台本身就是由于MOS管开启/关闭阶段的负反馈机制所决定，而非因为米勒效应产生；但米勒效应将这个平台变长、变明显。明显到影响了MOS管的应用：
1. 影响MOS管的开关频率，开关损耗，要通过各种辅助手段极力减小它的影响；
2. 用于电源缓启动应用时，要通过辅助手段增加CGD来延长米勒平台。
