我们知道米勒平台是MOS管在开启/关断过程中，VGS电压在上升/下降过程中，维持VGS电压不变的状态。
首先，我们可能会有个疑问：为什么会称它为米勒平台呢？（而不是肖特基平台）
这是因为米勒老先生发现了MOS管上电过程中的这个“台阶”么？
其实不然，米勒老先生发现的是：一种特殊运放电路结构导致反馈电容容值被放大的效应。
人们称之为：米勒效应。
而MOS管上产生的米勒平台正是由于米勒效应所导致的。
所以我们要去理解米勒平台，则要先去了解米勒效应是个啥玩意。
米勒平台能够让MOS管的VGS电压在充电过程中保持恒定不变，这初一看感觉就是个魔术，不符合科学道理。所以米勒老先生发现的这个效应，看起来也很是玄幻。
接下来，我们将从两个角度来解释米勒效应，它到底讲述了怎样的一个神奇现象：
第一种方法：
如下图所示，我们假设一个增益为-Av的理想反向电压放大器（运放负极接输出），在放大器的输出和输入端之间跨接容抗为 Z = 1/(jωC)的电容，定义输入电流为 Ii，输入阻抗为 Zin。
1, 反向电压放大器增加了电路输入电容容值，并且放大系数为（1+Av）：Zin = 1/[jωC*(1+Av)]，计算过程如上图所示（如上式中复平面S=jω）。
2, 米勒老先生眼睛一扫，突然就发现了：输入阻抗被缩小1/(1+Av)，这么一个奇特效应。
那对于电容（1/jωC）来说，容抗与容值成反比（容抗小，容值越大），所以相当于电容容值增加了（1+Av）倍。
第一种方法是基于纯数学的推导，虽然数学推理肯定错不了，但总是感觉结论怪怪的。是否有更加便于理解（从感性上理解）的方式呢？
第二种方法：
如下图所示，我们负反馈电路路径上的电容C0人为地分成C1和C2，并且C1和C2中间接到GND。
C1，C2 只是从充电电量（Q）的角度进行划分。
1, C1跨接在Vi和GND之间，那么电容C1两端的电压是：Vi；那么从充电电量（Q）的角度来看：C1 = C0。
2, C2跨接在GND和Vo之间，而Vo = -Av*Vi，所以电容C2两端的电压是：Av*Vi；所以从充电电量（Q）角度来看：C2 = Av*C0。
3, 所以C1和C2的充电电量加在一起：（1+Av）*C0，相当于电容C0的容量增加了（1+Av）倍。
好，我们再来直观理解一遍：
如果电源电压Vi直接加在C0上（C0两端电压为Vi），则其表现为C0电容值；但由于运放的作用，加在C0两端的电压变成（1+Av）*Vi，那么相同电容值的电量（Q）增加了（1+Av）倍，所以表现出来电容值被放大了（1+Av）倍。
这个效应最早是由 John Milton Miller 发现的并发表在他1920年的著作中，我们称之为米勒效应。
