西安交通大学高传博教授课题组提出了一种晶格失配诱导富缺陷贵金属基纳米材料的合成方法，制备了具有高密度缺陷结构的Pd-Cu合金纳米笼。相较于无缺陷的合金纳米材料，富缺陷Pd-Cu合金纳米笼在电催化甲酸氧化反应中表现出显著提升的性能。
贵金属纳米材料中的晶体学缺陷结构（如晶界、堆垛位错等）能够作为催化活性中心，显著增强其催化性能。迄今，人们开发了多种晶体学缺陷的合成方法，但可控构筑高密度的缺陷结构仍是一项挑战。
为解决这一难题，西安交通大学高传博教授团队提出了一种基于晶格失配诱导的高密度缺陷结构的合成方法。在该方法中，研究者以具有较大晶格尺寸差异的金属纳米材料作为模板，诱导贵金属在该异质金属基底上的非外延成核，从而形成大量具有随机晶格取向的贵金属晶核。随着这些晶核的生长，微晶间的晶格相互接触，形成大量的晶界。在引入模板刻蚀后，核壳间的金属通过空位扩散途径发生合金化，最终形成富缺陷结构的空心合金纳米晶。以富缺陷PdCu合金纳米笼为例，本工作展示了该合成方法的有效性，验证了缺陷对贵金属纳米晶催化性能的提升作用。与无缺陷的合金纳米晶相比，富缺陷PdCu合金纳米笼在电催化甲酸氧化反应中表现出1.6倍的性能提升。这一方法为富缺陷贵金属纳米结构的合成提供了新思路，也为高效贵金属基纳米催化剂的开发开辟了新途径。
论文第一作者为西安交通大学刘钊钧和王争艳，通讯作者为高传博教授。详见：Zhaojun Liu,† Zhengyan Wang,† Zhaoyu Wang, Hao Yuan, Yuke Bai, Xiaoxiao Wang, Zerui Mu, Chunxia Wu, Kai Liu, Zhun Hu and Chuanbo Gao*, Lattice-Mismatch-Induced Formation of Defect-Rich Pd-Cu Alloy Nanocages for Enhanced Formic Acid Oxidation Activity, Sci. China Chem., 2024, DOI:10.1007/s11426-024-2347-y.
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