Aaron
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/ 晶硅电池片电阻计算 /
电池片中的电阻计算：
体电阻 发射极薄层电阻（扩散方阻） 接触电阻 细栅电阻 主栅电阻
1. 体电阻计算
对于厚度为 ，面积为，电阻率为的硅片，体电阻
2. 表面薄层电阻计算
两细栅间的中心线为 点 栅线间距 长度为的细栅线，宽度段功率损失
电流 为电流密度
0-S/2范围内薄层电阻功率损耗
薄层电阻
对于n条细栅，薄层电阻为3. 细栅电阻计算
假定电流沿细栅线向右流入主栅线
细栅线电阻率为 长度为段细栅，电阻为 距离0点距离的点，电流为 对于长度为b的细栅线，其功率损耗
对于n条细栅，m条主栅，细栅线电阻为：
4. 主栅电阻计算
主栅电阻率记为 长度为的主栅，线电阻为 m条主栅，主栅线电阻为 考虑测试探针数量，主栅线电阻阻值为
5. 接触电阻计算
接触电阻量测方法：
三、四探针法 直线四探针法 矩形传输线法 TLM 圆形传输线法 CTLM 四点量测法
TLM法简介
1964年，Shockley提出
由若干相互平行、形状相同、间距不等矩形电极组成的图案来量测接触电阻
电极长度
电极宽度
电极间距
任意相邻的两电极间的电阻R
- 电极与硅体间的接触电阻率 - 两电极间的薄层方块电阻
TLM模型传输长度
参考资料：
上交大硕博论文 《晶硅电池组件功率损失研究》· 陈筑
