Aaron PV
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/ n-TOPCon管式 B 扩散工艺参数影响及SE探讨 /
B-SE技术解决的难题：降低正面金半接触区复合
轻扩区（浅结-低表面浓度），降低钝化区饱和暗电流密度，提升蓝光响应 重掺区（高浓度-深结），降低金半接触区饱和暗电流密度，降低接触电阻率
B扩工艺参数对峰值浓度及结深影响
B源流量 ：ECV曲线影响不大，原因是B源沉积步温度相对较低，B扩散系数较低 推进温度 ：对峰值浓度、结深影响较大 后氧化温度 ：对结深影响最大 氧气流量 ：对结深、峰值浓度影响显著 氧化时长 ：对结深、峰值浓度影响显著 后氧化处理步温度、流量、时长对钝化影响显著
饱和暗电流影响
随着结深和峰值浓度的增大，钝化区 变大。原因是表面复合及体复合加剧 降低钝化区饱和电流密度，方向是低表面浓度+浅结 结深0.5~0.85 μm范围内，随着结深增加，峰值浓度增大，金半接触区 变小。可用“传输受限发射极”（对体复合不敏感）概念解释：发射区重掺区域空穴浓度非常高，空穴寿命较低，因此空穴复合速率也较低。提升掺杂浓度，可降低金半接触区饱和暗电流密度。结深大于1.0 μm时，金半接触区饱和电流密度反而变大，主要是体复合加剧影响。 降低金半接触区饱和暗电流，可以提高重掺区提高掺杂浓度和适当的结深~0.8um SE技术综合轻扩区（钝化区）和重扩区（金半接触区域）优势 Ag/Al浆腐蚀深度 0.45~0.63 μm，比耗尽区宽度高5倍以上，可不考虑耗尽区对接触电阻的影响 B掺杂浓度大于以上时，会显著增加金半接触区复合。表明在深度0.63 μm处B掺杂浓度临界点要低于E18量级
接触电阻率
随着峰值掺杂浓度增加，结深增加，接触电阻率减小 结深不变，可通过提升掺杂浓度，接触电阻率可由4.5降至1.1 mΩ/cm2 掺杂峰值浓度不变，可通过提高结深，将接触电阻率降至1.1 mΩ/cm2
iVoc影响
QSSPC方式，取值1E15 cm-3过剩载流子浓度，1-sun光照条件下iVoc值 结深相同，随着峰值浓度的增加，iVoc降低 峰值掺杂浓度相同，随着结深的增加，iVoc降低 相比峰值掺杂浓度，结深对iVoc影响更大，绒面片双面硼扩+AlOx/SiNx钝化，iVoc可达到710+ mV
参考文献：Boron tube diffusion process parameters for high-efficiency n-TOPCon solar cells with selective boron emitters, Solar Energy Materials and Solar Cells Impact of boron doping on electrical performance and efficiency of n-TOPCon solar cell, [https://doi.org/10.1016/j.solener.2021.08.075]
