Aaron PV
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/ TOPCon 去绕镀清洗研究 /
关键结论
不同化学品的腐蚀速率
讨论
1 实验用TOPCon电池制备流程
碱制绒 正面B扩散，发射极制备 湿刻&去边结 隧穿氧化层+ i-Poly-Si沉积（LPCVD） 磷掺杂 n+ doped poly-Si 清洗/去绕镀处理 正面氧化铝沉积 正、背面SiNx膜层沉积 丝印 烧结
【LPCVD绕镀问题】
沉积速度受温度影响明显：550℃ ~ 2.8 nm/min，615℃ 8.3 nm/min 绕镀问题突出，需要设置单独的去绕镀步骤
【各种xSG】
PSG，磷硅玻璃，phospho-silicate glass BSG，硼硅玻璃，boro-silicate glass BPSG，硼磷硅玻璃，boro-phospho-silicate glass
【3种去绕镀/清洗方法比较】
I: HF去单面x-SG → KOH双面处理→ HF双面处理 II：HF/HNO3单面处理 → HF双面浸没处理 III：HF/HNO3单面处理 → 双面抛光 → HF双面浸泡处理
【实验样品】 LPCVD制备：SiOx(1.5~2 nm)/a-Si(200 ± 20 nm) 磷扩散：850~900 ℃条件下进行
【考查5种不同表面xSG】
抛光片-B扩面，BSG 抛光片-P扩面，PSG BSG表面上P扩，形成BPSG 掺杂n+ poly-Si表面去除PSG 制绒片
实验数据
来源：Study on the cleaning process of n+ poly-Si wraparound of TOPCon solar cells
