Aaron PV 笔记
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/ N2O/SiH4 流量比 vs SiOx 折射率 vs 沉积速率 /
注：数据仅供参考
典型成膜条件：
- PECVD， 40KHz 管式设备
- 温度：460，压力：170~240 Pa，功率：2~20 KW
- 流量SiH4/N2O:
- 1666/833 sccm 2/1
- 1250/1250 sccm 1/1
- 625/1875 sccm 1/3
- 460/2000 sccm 1/4.3
- 227/2272 sccm 1/10
- 178/2314 sccm 1/13
- 156/2344 sccm 1/15
- 80/2420 sccm 1/30
