视频来源：EVG
图源：EVG520晶圆键合设备
本文主要针对晶圆键合（EVG 520） 设备，这款设备用于小批量生产或研发环境。
设备结构组成：
键合室：这是放置晶圆并进行键合过程的核心区域。它通常包括控温环境和施加力（压力）进行键合的机制。
加热和冷却系统：集成了加热和冷却元件，用于控制键合过程中的温度，这对于热压和熔融键合等工艺至关重要。
对准机构：包括自动或半自动阶段，用于在键合前精确对准晶圆。这对于 MEMS 和 SOI 晶圆键合等高精度应用至关重要。
压力施加系统：对于阳极键合等工艺，系统施加精确的压力以确保材料的正确键合。最大键合压力可高达 3.8 MPa，具体取决于硬件和键合方法 。
控制单元：软件界面可设置温度、压力和键合时间等参数。
负载锁紧密封机构：用于处理晶圆进出键合室，不会污染工艺或干扰真空环境 。
工艺原理：
阳极键合：在硅晶圆和玻璃晶圆之间施加电场，通过静电力形成牢固的键合。
熔融键合：该工艺利用热量通过在分子水平上熔化晶圆表面来键合晶圆。
热压键合：在此过程中，同时施加热量和压力来键合晶圆。
技术难点：
精度和对准：实现键合晶圆之间的完美对准对于确保键合的完整性至关重要。
过程控制：控制温度、压力和电压等参数对于避免诸如空隙或不均匀键合等缺陷至关重要。
材料兼容性：系统必须处理具有不同热膨胀率和键合要求的各种晶圆材料（硅、玻璃等）。
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