晶圆湿清洁是为了去除晶圆表面的污染物和颗粒，以确保下一步（例如光刻，沉积和蚀刻）不受杂质的影响。这对于生产高质量的集成电路至关重要！
目前晶圆的清洗方法主要有：干法与湿法、单片与槽式！
晶圆湿法清洁设备的结构组成以及技术和分析总结：
一.晶圆湿清洁的关键流程：
去除粒子：从以前的制造步骤中去除晶圆上留下的任何残留颗粒或碎屑。
清除污染物：从晶圆表面清洁有机材料，金属离子和其他杂质。
表面处理：晶圆表面特性的增强，例如清洁以减少表面粗糙度或修饰亲水/疏水行为。
二.晶圆湿清洁设备结构组成：
1.上料模块：EFEM（设备前端模块）在 foup 中负责对齐和传输晶圆的设备.
1.化学输送系统：确保清洁化学物质（酸，碱，溶剂）的精确和受控流到晶圆表面。包括储罐，泵，管道和过滤系统，以保持溶液纯度并防止污染。通常结合加热溶液以提高清洁功效。
2.晶圆夹盘：晶圆由Chuck或Wefer吸盘固定。确保在清洁和冲洗过程中固定晶片。晶圆支架可以旋转以确保清洁均匀。
3.喷嘴：晶片要么浸入化学浴中，要么通过喷嘴暴露于化学物质流中。自动化系统调节化学物质的压力，温度和流速，以确保最佳清洁。
4.清洗和干燥系统：清洁后，用去离子水（DI水）彻底冲洗晶片以去除残留的化学物质。可以通过热氮气或自旋干燥机制来实现干燥，通常结合高速空气或蒸气干燥系统以最大程度地减少污染。
5.超声清洁系统：一些湿清洁系统在清洁溶液中使用超声波，以改善去除亚微米颗粒。该系统通常包括产生高频声波的压电传感器。
三.晶圆湿清洁主要有以下技术难点：
1.粒子测量：许多系统结合了粒子测量系统，以确保将晶片清洗为所需的标准，并检测到任何残留的颗粒或污染物。
4.水和化学回收：为了降低成本和环境影响，一些晶圆湿清洁系统结合了水和化学回收系统。这些系统净化了使用的DI水和化学物质，从而减少了新鲜供应和最小化废物的需求。
5.过滤系统：在重复使用之前合并过滤以从二手清洁溶液中清除污染物。
6.污染控制：污染控制对于晶圆湿清洁至关重要。清洁过程中的任何污染物都可以损害晶片的表面并导致产量损失。使用高纯化化学物质和DI水是必不可少的。
7.系统集成：晶圆湿清洁设备必须与其他半导体制造过程（如光刻和蚀刻）无缝集成。系统应设计用于轻松整合到自动生产线中。
8.一致性：在晶圆表面上实现均匀的清洁，对于确保晶圆的所有区域都没有污染很重要。
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