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散英魂寄千万雄鹰翱翔神州，
尽智魄载十亿慧芯呼唤华夏。
——《国务院给予江上舟同志挽联》
01
前沿导读
台积电前副总裁伯恩·林（Burn J. Lin），在一次采访中告诉国际权威媒体彭博社，中国的晶圆厂商和深圳的国产手机厂商，在芯片技术方面取得了飞速发展，无视美国旨在遏制其技术进步的限制。他相信，中国大陆的晶圆企业已经拥有的ASML光刻设备，这将使公司能够向5纳米级制造工艺迈进。
02
国产7nm
尽管美国通过制裁施加技术限制，但是中国的晶圆企业依然通过开发其第二代 7 nm级制造工艺实现了等效7nm工艺的芯片制造。并且国产7nm技术的芯片拥有足够高的良率，可以搭载到国产品牌的旗舰手机当中。
据称，来自于中国上海的晶圆企业使用了 ASML 的 Twinscan NXT：2000i 光刻工具，这是一种深紫外 （DUV） 光刻机设备，可以生产 7 nm和 5 nm工艺技术的芯片。在此之前，美国对荷兰政府施压，限制了该工具对中国的出口。
Twinscan NXT：2000i光刻机，发布于2018年。该产品虽然是DUV光刻机，但是实际的产品性能，与Twinscan NXE：3400B EUV（极紫外）光刻机的性能相匹配。
对于 7 nm 的技术节点来说，光刻机的套刻精度要求为 3.5 nm，因此光刻机必须支持 2.5 nm 的套刻预算。这些硬性的技术指标，在 ASML 的老款产品 Twinscan NXE：3350B 以及 NXT：1980D 上都可以实现。
对于 5 nm 的技术节点来说，套刻精度的要求更加严格。套刻精度要求保持在 2.4 nm，这意味着光刻机的套刻精度，必须要保持在 1.9 nm。NXE：3400B 和 NXT：2000i 这两款光刻机已经达到了这个套刻精度。
Twinscan NXT：2000i 光刻机的分辨率≤38nm，这种精度的水平，足以使用双重图案打印出38nm 金属间距，满足 7nm 双图形技术的要求。根据ASML 和 IMEC 的数据显示，在 5nm 处，金属间距收缩到 30 – 32nm，在 3nm 处，它们下降到 21 – 24nm。
因此，EUV光刻机对于这些节点的制造至关重要。而DUV光刻机，想要将金属间距缩短至30nm - 32nm，目前还没有任何一个企业能够成功，甚至可以说还没有企业敢于尝试这个技术。
03
5nm技术
如果要将工艺下探到 5nm 技术，那么必须要达到更精细的分辨率。想要尝试5nm技术的生产，晶圆厂商可以使用双重、三重甚至四重图案化技术来挑战5nm工艺。
多重图案化技术，是将复杂图案拆分为几个更简单的图案，这些图案按顺序印刷，以此来在半导体的制造中实现更高的精度和细节。
使用多重图形技术，这是一个极其冒险的做法，芯片的良品率、制造成本完全不可控，所以基本上没有晶圆厂商敢于挑战这个技术，都会选择采用EUV光刻机制造5nm芯片。
但是，由于美国的限制，中国的晶圆企业别无选择，只能使用曾经从ASML采购的DUV光刻机，通过多图案化技术，来实现7nm、5nm的芯片制造。
台积电的前研发副总裁林本坚，曾经就中美之间的芯片战争发表了看法：
更加讽刺的是，美国针对于中国企业的制裁，似乎在无意间为中国本土的晶圆制造企业创造了一个机会。美国对台积电施加了限制，禁止它与某些中国的手机企业进行合作，这正好给了中国晶圆企业能够介入并获得大量芯片订单的机会。这一转变，促进了中国晶圆企业提高其制造技术和制造能力的发展。
早在2021年，武汉的Innosilicon公司，就已经跟上海的晶圆企业进行合作，流片了N+1工艺的芯片，相当于是7nm工艺的雏形技术。虽然是7nm工艺，但是在性能和能耗上面，远差于国际主流的7nm水平。
经过几年的发展，上海的晶圆企业掌握了N+2的工艺技术，极大提升了7nm芯片的可用性，并且还一并解决了良品率的问题。制造出来的芯片产品，由深圳的一家手机企业，在自家的旗舰手机上面率先使用。
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