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散英魂寄千万雄鹰翱翔神州，
尽智魄载十亿慧芯呼唤华夏。
——《国务院给予江上舟同志挽联》
01
前沿导读
在华为发布了mate70系列产品之后，外国的权威调查机构techinsights开始针对mate70系列的麒麟芯片进行拆解分析。
经过深入的技术拆解之后，techinsights得出了结论，曾经谣传的中国国产5nm芯片并没有出现，这次mate70系列搭载的麒麟9020，是基于上一代麒麟9010的升级版，芯片的制造工艺与上一代一致，依然是7nm水平。
02
麒麟9020
对比前两代支持超线程的全新麒麟芯片，麒麟9020将之前的公版小核心更换成了华为自研的泰山小核心，以此来优化低负载场景下的使用体验。
对比麒麟9010，麒麟9020总结起来就是在大核心的频率上面进行了小幅度提升，中核进行了优化，小核进行了重构。
根据国际权威机构techinsights的技术报告显示，该芯片由中国的晶圆厂制造而来，对比前几代产品，这次的麒麟9020只能算是升级版，并没有达到大更新的设计水平。
Mate 70 Pro+搭载的麒麟芯片，根据其芯片上面的丝印显示，该芯片与之前Mate60 Pro中的麒麟9000s和pura70pro中的麒麟9010处理器非常相似，封装丝印都显示了以下两个标识“Hi36C0”、“GFCV110”。
麒麟9020芯片尺寸，比上一代增加了15%(136.6毫米)，而且还具有略高的缓存，在一定程度上提升了性能。并且在芯片的启动电路上面，与上一代的麒麟9010芯片也存在一定程度的修改差异。
03
国产芯片技术
麒麟9000S、麒麟9010、麒麟9020均采用了国产技术制造，基于晶体管的Fin FET技术，通过多重图案化方案的n+2工艺制造完成。最新的麒麟9020，采用的是更加先进的n+3工艺，实现了晶体管更高的密度堆叠。
多重图案化技术的成本高，良品率低，尤其是在中国拿不到EUV设备的情况下，只能是走多重图案这一个技术路线。据行业人员分析，如果用DUV光刻机通过多重图案技术制造5nm芯片，那么整体的制造成本将会比EUV工艺高出50%，并且良品率还是不可控的因素。
虽然中国有可能会成功量产5nm芯片，但是晶圆制造厂需要面对的问题也会越来越多。
中国上海的晶圆制造商，整体的收益率是台积电的三分之一。如果盲目的去开发5nm的多重图案技术，那么晶圆厂整体的资金链恐怕会非常紧张，甚至在很长一段时间内会大幅度亏损。
根据英国《金融时报》的权威报道显示，中国的7nm和5nm工艺技术，在成本和技术投入上面，要比台积电高出40%－50%，但是良品率不足台积电的三分之一，这个技术成本在晶圆制造产业当中，都属于是相当冒险的方案。
根据现有的行业信息进行推断，中国的5nm芯片，整体的售价将会在比台积电高50%的价格基础上，再贵50%。如果将制造成本的价格分摊到消费者身上，高昂的产品售价会让大部分普通消费者失去购买产品的欲望。
麒麟9020在采用了与麒麟9000S、麒麟9010相同的制造工艺下，尺寸增大了15%，并且在核心、缓存、3GPP R18等各方面都有所性能和技术提升。在美国技术的限制下，中国厂商依然可以做到产品的更新迭代，实现了完整SOC的国产化技术制造，这本身就是一个被逼无奈的做法。
自从中国发布了麒麟9000S以来，中国大陆的晶圆厂暂时还无法推进到 5nm 工艺节点。
而台积电，则是瞄准了 N2 节点开始准备进行量产。两个不同地区的晶圆企业之间，有3个节点的差距，这代表了6年的技术代差，这是目前中国半导体行业面临的技术挑战。
华为的新麒麟芯片，从麒麟9000S开始，就已经在内部的堆叠结构上面进行修改。早在麒麟 9000S的这一代，华为就将内部的5G调制解调器堆叠在 CPU和GPU 芯片之上，以节省主板空间。
这种堆叠的技术方案，还需要相应的封装技术进行匹配，未来的半导体技术，也将会是封装技术占据主导地位。
芯片内部的各个芯片，CPU、GPU、NPU、ROM、RAM之间的距离是以纳米为单位进行计算的，距离越近，芯片抓取信息的速度越快，产品性能也就越强。
但是想要缩短之间的距离，连接导线、散热、兼容度都是需要考虑的因素，有一个地方出现误差，会极大影响产品的工作效率。
麒麟芯片的堆叠技术算是一个非常冒险的技术方案，本身芯片就支持超线程，相当于用功耗来换取性能提升，再加上基于堆叠技术产生的双主板结构，散热是个大问题。
这也就是华为要将mate60系列、mate70系列的机身尺寸做大的主要原因之一，手机屏幕后面的均热板尺寸也设计的非常大，在一定程度上压制了堆叠技术出现的功耗增大，芯片发热的情况。
从设计水平和产业模式的角度来看，华为的麒麟芯片是目前国产技术的先驱，华为正在尝试将各种先进的，以及未来会出现的技术搭载到麒麟芯片上面，逐步进行融会贯通。
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