目前已知的信息是，华为的麒麟9000S芯片是中芯国际旗下的中芯南方，通过之前从ASML采购的浸润式光刻机，再加上梁孟松带来的Fin FET技术，通过多曝光的方式实现了等效7nm（N+2）工艺的芯片量产。
并且外国媒体也对中芯国际的Fin FET技术进行了拆解，发现了Fin FET技术下的沟道、栅极和漏极以及触点和较低金属层看起来相当干净。而低良品率的Fin FET技术，可不会这么干净。
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而华为的昇腾910B，则是采用了更加隐秘、繁琐的制造方案。
中芯国际内部有两个大型的晶圆厂，一个负责先进制程、一个负责成熟制程，而先进制程的工厂则是不被美国允许给华为提供技术支持。
这两个工厂通过晶圆桥接器进行连接，这种自动化的高架轨道可以在彼此之间移动晶圆。并且外国部门通过卫星地图，已经锁定了这几个晶圆厂之间的联系。由于美国的禁令限制，所以这两个工厂才会被进行分割。
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其中一座晶圆厂已经在美国上市，主要的研发目标就是ai领域的先进制程工艺。至于中芯国际到底有没有通过晶圆桥将先进的技术输送出去，没有人知道。
目前来说西方国家的出口管制，有效地减缓了中国的技术发展。中国大陆先进制程工艺的差距与台积电约为5年，中芯国际的N+2工艺在2023年出货，台积电的N5则是在2020年出货，N7工艺则是在2018年出货。
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对于先进的SoC来说，特别是大型芯片HPC芯片的参数化良率很差。如果没有政府补贴，这些逻辑工厂在经济上是不可行的，但相对于中国历史上给予其他行业（如电动汽车，钢铁和太阳能）的补贴而言，所需的补贴规模很小。
在去年华为发布mate60系列的时候，外国机构TechInsights对其内部的麒麟9000S芯片进行了拆解。
根据拆解的图像显示，麒麟9000S的制程技术与台积电的第一代7nm技术、英特尔的第一代7nm技术非常相近，都是没有采用EUV技术进行的制造。
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中芯国际通过梁孟松的加入，多年前掌握了Fin FET堆叠工艺。Fin FET技术的理论制造极限就是3nm，并且制程工艺涵盖了从14nm到3nm之间。用于14nm节点的制造设备，也可以用在7nm上面，只不过制造出来的产品，在能效和良品率上面，就没有EUV技术那么优秀了。
梁孟松也曾在财报会议上透露N+1、N+2代芯片工艺具体情况，相较于14nm芯片工艺，中芯国际最新一代N+1,芯片工艺的性能提高20%，功耗降低57%，逻辑面积减少63%，Soc面积减少55%。按照这样的参数水准，中芯国际的N+1芯片工艺已接近台积电7nm。
麒麟9000S在各种测试中的性能和功耗曲线，可以与高通的S888、S8G1相提并论。而且在芯片的射频方面，麒麟9000S使用的集成调制解调器与高通8G2的调制解调器是当时国际层面最好的。最重要的一点是，射频前端芯片也是国产的。
当在相同的IP上进行直接比较时，基于中芯国际N+2（7nm）工艺的麒麟9000S，内部的Arm A510小核心与2022年基于三星4LPX工艺的高通S8G1相差不大。
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简而言之，麒麟9000S是一款由国内企业自主设计的芯片，性能和效果都是国内能达到的最高水平。即使受到美国的制裁，这也是一个领先的芯片。并且麒麟9000S是在无法使用EUV、无法使用尖端的美国IP、受到美国的故意阻碍的基础上研发出来的产品，这个技术含量相当高。
