国际权威芯片专家评价中国芯片：中国可以用DUV光刻机制造5nm芯片，但是成本高，良品率低，一般企业没有勇气去做

想要达到5nm的制程技术，需要缩小芯片的一些关键因素，如单元高度、栅极间距和最小金属间距。

在没有EUV光刻机的前提下，只使用DUV光刻机，想要对以上因素进行缩小，需要通过多重图案化技术来实现。

多重图案化技术，虽然可以将芯片内部源极和漏极之间的电流沟道距离缩短，但是技术难度、成本、良品率都是无法量化的外部因素。

麒麟9000S与麒麟9010均使用DUV光刻机通过双重图案曝光的技术制造而成，麒麟9010虽然是新一代的产品，但是它与麒麟9000S的性能提升并不明显，只能算是小修小补的升级款。为了保证良品率和大面积量产的要求，中国大陆还不敢冒然进行5nm芯片的应用。

也有相关行业的专家分析过，国内厂商在5nm节点的制造当中，成本造价要比台积电的成本高出 40% 到 50%左右。

DUV光刻机的ArF光源是193nm的波长，通过浸润式技术可以达到等效134nm的波长。最极限的情况下，可以达到40nm的分辨率。

只采用DUV光刻机设备，想要突破到5nm节点，自对准四重图案化技术是唯一的方法。

可以参考三星的第一代5nm技术，在晶体管设计的过程中，三星选择采用了自对准四重图案化技术，该技术可以将晶体管的电流沟道间距缩短为27nm。

DUV光刻机的单次曝光，可以将芯片的电流沟道间距缩小为50nm。而EUV光刻机单次曝光制造的芯片，电流沟道要远远小于50nm这个数值。

还有一个问题是，在使用 DUV 机器时，需要在多次曝光期间进行精确对准，这就需要很长的技术时间，并且还会发生晶圆位置的错位，从而导致产量降低并增加制造这些晶圆的时间。

林本坚曾经谈论过这个情况，浸润式 DUV 技术可以使用六重图案模式，但同样的，问题来自上述相关的缺点。