路透社发布紧急消息：华为Mate70系列的推出，标志着华为重返高端领域，这让美国的芯片制裁迫在眉睫

根据美国的拆解机构iFixit表示：

在对比图片中，有一个细节很突出，麒麟9010的外部标记似乎与旧款麒麟 9000S 相匹配，后者是在SMIC的 7nm 节点（通常称为 N+2）上生产的。我们的一位行业专家对此进行了审核，他们指出，芯片标识符尤其不寻常，因为新芯片通常有自己的型号。

在这种情况下不是：9000S（型号 HI36A0 修订版 GFCV120）和 9010（型号 HI36A0 修订版 GFCV121）共享相同的型号。

加拿大的拆解机构TechInsights 也在技术报告中表明：Kirin 9010 似乎位于同一个 N+2 进程节点上。得出的结论是，麒麟 9010 的核心是 9000S，其改进的设计旨在提高产量。不过，这些改进可能不仅限于生产——早期的基准测试表明 9010 的性能也比 9000S 好一点。

去年 7nm 节点上的 9000S 引起了西方国家的一点恐慌，当时美国立法者面临着对中国芯片制造商实施的制裁可能毕竟不会减缓其技术进步的可能性。9010 仍然是 7nm 工艺芯片，并且与 9000S 如此接近，这一事实似乎表明中国芯片制造确实已经放缓。

但不要低估华为和SMIC，这两家企业有望在近几年当中跃升至N5等效节点，并且已经拥有了Fin FET技术和N+的制程工艺，下面就是要解决商业上可行的产量问题。

看看台积电生产的高通骁龙 8 Gen 3，与麒麟 9000S、9010之间的基准，可以看出中国半导体制造已经走了多远，但也要走多远。

麒麟 9010 的性能比台积电 N4P 衍生的 Snapdragon 8 Gen3 差得惊人，N4P 是从 N5 节点衍生而来的节点进程，由台积电于 2021 年发布，其 N5 节点与麒麟 9000S 和 9010 的 N7 节点仅相隔一代。

同时，9000S 和 9010 之间的性能提升保持在个位数。这个新的 SoC 稍微好一些，但并没有预期的巨大飞跃。

目前，美国已经成功地限制了中国在 7nm 节点上以高良率进行大规模生产的能力。推而广之，它还阻止了中国在 N5 等效节点上以高产量进行大规模生产。然而，这并没有阻止中国在其他领域取得进步，特别是作为 3D NAND 技术的市场领导者和创新者。

中国半导体行业目前面临的最大挑战是，无法访问最新的节点流程。EUV 光刻机能够经济且可扩展地生产 N3 节点及更高节点，由荷兰的一家公司独家制造和销售：ASML。

虽然美国的制裁仍然有效，但中国的制造商将被迫应对旧技术的低产量和高成本，同时投入资金研发以开发他们自己的EUV和DUV光刻系统。

尽管存在这些挑战，但预计中国将很快从 7 纳米节点工艺跃升至 5 纳米工艺，尽管生产良率可能仍然很低。