随着人工智能技术的迅猛发展，对高带宽存储器（HBM）的需求日益增长。为抓住这一市场机遇，美光科技今日宣布在新加坡启动其数十亿美元的HBM封装设施建设项目，预计投资70亿美元。该工厂将专注于生产HBM3E、HBM4和HBM4E等先进内存，以满足未来几年人工智能领域对高性能内存的激增需求。设施计划于2026年投入运营，并在2027年大幅增加产能。
美光的新加坡HBM封装工厂位于其现有生产3D NAND和DRAM的工厂旁。该工厂将采用先进的人工智能驱动自动化技术，以提高运营效率。尽管美光在高端HBM3E内存领域处于领先地位，但在整体HBM市场份额上，相较于三星和SK海力士等韩国竞争对手仍有一定差距。这在一定程度上是由于美光缺乏庞大的DRAM制造能力和HBM组装能力。目前，美光正逐步提升现有工厂的HBM3E产量，目标是在2025年中期占据约20%的HBM市场份额。随着新加坡新工厂的投产，美光有望进一步扩大市场份额。
美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“人工智能在各行业的应用不断拓展，对先进内存和存储解决方案的需求将持续强劲增长。在新加坡政府的大力支持下，我们对HBM先进封装设施的投资将巩固我们的市场地位，更好地把握未来人工智能领域的发展机遇。”值得一提的是，虽然新工厂将主要组装HBM堆栈，但其技术也可用于3D NAND封装，因为两者的组装技术通常相似。
该项目预计将创造约1400个就业岗位，涵盖封装开发、组装和测试操作等领域。扩建后，就业机会有望增加至3000个。新加坡经济发展局主席Png Cheong Boon表示：“美光的高带宽内存先进封装设施是新加坡的首个此类项目，将使我们能够为全球人工智能产业的发展贡献力量。它不仅加深了新加坡与美光的合作关系，还进一步强化了新加坡的半导体生态系统。”
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