在全球半导体制造领域，俄罗斯正计划开发自己的极紫外（EUV）光刻机，以打破荷兰ASML公司的市场垄断。据CNews报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导的团队公布了一项新路线图，旨在创造比ASML系统更便宜、更易制造的EUV设备。这些新型光刻机将使用波长为11.2纳米的激光器，与ASML标准13.5纳米的波长不同，这将要求俄罗斯开发自己的光刻生态系统。
俄罗斯的EUV光刻计划目标是制造具有竞争力性能的EUV机器，同时降低制造和运营成本。与ASML的EUV光刻系统不同，俄罗斯EUV光刻机将使用11.2纳米波长的氙基激光源，而不是ASML的锡基系统。Chkhalo表示，11.2纳米波长提供了20%的分辨率提高，允许更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。这种调整显著减少了光学元件的污染，延长了关键部件的寿命，如集热器和保护膜。该设计还允许硅基光刻胶，预计在较短的波长下表现更好。
俄罗斯的光刻机虽然在性能上不如ASML的强大，但由于使用3.6 kW的光源，其吞吐量约为ASML的2.7倍，对于小规模生产来说已经足够。尽管11.2纳米仍然属于极紫外光谱，但这种变化并不是一个小的调整，这意味着所有的光学元件——如反射镜、涂层、掩模设计和抗蚀剂——都必须针对新的波长进行专门设计和优化。激光源、抗化学、污染控制和其他支持技术也需要重新设计才能有效地在11.2纳米下工作。
开发将分为三个阶段进行。第一阶段将侧重于基础研究，确定关键技术，并测试初始组件。第二阶段将包括创建一个能够每小时处理60个200毫米晶圆的原型，并将其集成到国内芯片生产线上。第三阶段的目标是提供一个能够每小时处理60个300毫米晶圆的工厂就绪系统。目前尚不清楚新的光刻机将支持哪些工艺技术，且路线图没有指定完成这些阶段的时间表。
俄罗斯的这一计划显示了其在全球半导体制造领域中的雄心，尽管面临技术挑战和市场不确定性，但俄罗斯正努力在EUV光刻技术领域取得突破，以实现半导体产业的自主可控。随着全球芯片制造竞争的加剧，俄罗斯的这一举措将对全球半导体供应链产生重要影响，同时也为全球半导体技术的发展带来新的变数。
↓↓↓关注芯片行业↓↓↓
免责声明：本文编译自外媒，不代表作者认同或支持其观点，如有疑问，请阅读原文或联系芯片行业。
