在全球半导体产业版图中,台积电(TSMC)的国际扩张步伐再下一城。据《数字时报》报道,台积电将于2024年12月在亚利桑那州举行Fab 21晶圆厂的开幕仪式,届时将吸引包括美国新当选总统唐纳德·特朗普和现任总统乔·拜登在内的高级与会者,共同见证这一商业和地缘政治的重要时刻。Fab 21的开幕不仅标志着台积电国际扩张的重要里程碑,也是拜登政府实施的《芯片和科学法案》的成果之一。该法案旨在促进美国芯片生产,增强全球竞争力。预计此次开业仪式将于美国大选结束后的12月6日举行,成为半导体战略的商业和政治里程碑。
台积电Fab 21园区计划投资约650亿美元,分三期建设。目前,该公司已经获得了66亿美元的直接补贴,50亿美元的贷款,以及25%的潜在投资税收抵免。Fab 21第一期已经开始为苹果生产芯片,使用N5、N5P、N4、N4P和N4X等先进工艺技术。尽管工厂将在2025年正式开始为美国客户生产芯片,但即将举行的开幕式更多是一种形式上的确认。
Fab 21二期项目正在紧锣密鼓地建设中,预计将于近期完工。该期将使用台积电的N3或N2制程技术(3nm级或2nm级)生产芯片,预计将在2027-2028年上线,具体时间取决于市场情况以及美国政府和亚利桑那州提供的激励措施。
至于Fab 21第三阶段,预计将在本世纪末或明年初开始生产。目前,预测它将支持的生产技术还为时过早,尽管业界普遍预计可能会涉及1nm级节点技术。
此次Fab 21的开幕,是全球半导体供应链重构的一个缩影。随着全球科技竞争的加剧,台积电在美国的投资和生产布局,将对全球半导体产业产生深远影响。
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