研究背景 挥发性有机物(VOCs)对生态环境和人类健康都有严重的危害。在现有的各种处理VOCs的技术中,光催化降解VOCs以其成本低、高效、清洁、便于操作等特点受到了全世界的关注。乙烯是一种典型的挥发性有机化合物,空气中低浓度的乙烯可诱发植物激素、有害反应和病害易感性。因此,乙烯的去除也是环境方面最重要的挑战之一。对乙烯氧化的最大要求是如何提高光催化效率。光催化降解的关键是产生活跃的光生电子和空穴,并有效地分离载流子。然而,单个半导体既难以产生具有强氧化还原电位的光激发载流子,又难以有效地将它们分离。S型异质已被证明可以提高光催化效率。然而半导体的表面电子结构在每个面之间是不同的。因此,可以通过有目的地选择特定的晶面组合来形成某种类型的异质结来调节异质结类型。
文章简读 本文设计了一种CdS量子点/InVO4原子层(110)/(110)面S型异质结,通过光催化去除痕量C2H4。密度泛函理论(DFT)用于计算CdS和InVO4的费米能级,从而提前预测S型异质结的形成。随后通过水热法将CdS量子点直接负载在单层InVO4上,获得一种新型的CdS量子点/InVO4原子层结构。由于在相邻的切面之间故意构建内置电场,我们获得了显著增强的乙烯光催化降解率。在光照下,复合材料产生电子空穴对,还原型半导体CdS将O2还原成超氧负离子∙O2–,氧化型半导体InVO4将OH-氧化成∙OH,从而达到光催化降解乙烯的目的。当CdS含量为20%时,复合材料的光催化活性最佳。其乙烯光催化降解率是纯CdS的13.8倍,纯InVO4的13.2倍。进行了原位辐照x射线光电子能谱、光致发光和时间分辨光致发光测量。这些实验验证了内建电场增强了光激发激子的解离和自由载流子的分离,并导致S型电荷转移途径的形成。利用原位电子顺磁共振研究了光催化C2H4氧化的反应机理。这为优化半导体光催化剂去除VOCs的氧化还原能力和降低其光腐蚀性提供了良好的基础。
图文赏析
图1. (a) Ⅱ型异质结和(b) S型异质结的比较示意图。
图2. CdS量子点/InVO4单层的原位水热制备示意图。
图3. (a) InVO4的AFM图;(b) InVO4的SEM图;20-CSIVO的(c) TEM图;(d) HRTEM;(e) STEM HAADF和元素mapping图。
图4. CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的(a) XRD,(b) 紫外漫反射吸收光谱,(c) 拉曼光谱,(d) 红外光谱。
图5.(a) CdS和(b) InVO4的Kubelka-Munk图,CdS和InVO4的(c) 紫外光电子能谱图和(d)能带结构。
图6.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的XPS光谱:(a) Cd 3d,(b) S 2p,(c) In 3d,(d) V 2p3/2。
图7.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的(a) 光致发光,(b) 时间分辨光致发光,(c) 电化学阻抗,(d) 瞬态光电流图谱。
图8. CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结(a) 光催化降解乙烯性能图,(b) 反应动力学图,(c) 20-CSIVO降解乙烯的循环测试图。
图9.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结捕获自由基谱图EPR信号(a) ∙O2–,(b) ∙OH。
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挥发性有机物(VOCs)对生态环境和人类健康都有严重的危害。在现有的各种处理VOCs的技术中,光催化降解VOCs以其成本低、高效、清洁、便于操作等特点受到了全世界的关注。乙烯是一种典型的挥发性有机化合物,空气中低浓度的乙烯可诱发植物激素、有害反应和病害易感性。因此,乙烯的去除也是环境方面最重要的挑战之一。对乙烯氧化的最大要求是如何提高光催化效率。光催化降解的关键是产生活跃的光生电子和空穴,并有效地分离载流子。然而,单个半导体既难以产生具有强氧化还原电位的光激发载流子,又难以有效地将它们分离。S型异质已被证明可以提高光催化效率。然而半导体的表面电子结构在每个面之间是不同的。因此,可以通过有目的地选择特定的晶面组合来形成某种类型的异质结来调节异质结类型。
本文设计了一种CdS量子点/InVO4原子层(110)/(110)面S型异质结,通过光催化去除痕量C2H4。密度泛函理论(DFT)用于计算CdS和InVO4的费米能级,从而提前预测S型异质结的形成。随后通过水热法将CdS量子点直接负载在单层InVO4上,获得一种新型的CdS量子点/InVO4原子层结构。由于在相邻的切面之间故意构建内置电场,我们获得了显著增强的乙烯光催化降解率。在光照下,复合材料产生电子空穴对,还原型半导体CdS将O2还原成超氧负离子∙O2–,氧化型半导体InVO4将OH-氧化成∙OH,从而达到光催化降解乙烯的目的。当CdS含量为20%时,复合材料的光催化活性最佳。其乙烯光催化降解率是纯CdS的13.8倍,纯InVO4的13.2倍。进行了原位辐照x射线光电子能谱、光致发光和时间分辨光致发光测量。这些实验验证了内建电场增强了光激发激子的解离和自由载流子的分离,并导致S型电荷转移途径的形成。利用原位电子顺磁共振研究了光催化C2H4氧化的反应机理。这为优化半导体光催化剂去除VOCs的氧化还原能力和降低其光腐蚀性提供了良好的基础。
图1. (a) Ⅱ型异质结和(b) S型异质结的比较示意图。
图2. CdS量子点/InVO4单层的原位水热制备示意图。
图3. (a) InVO4的AFM图;(b) InVO4的SEM图;20-CSIVO的(c) TEM图;(d) HRTEM;(e) STEM HAADF和元素mapping图。
图4. CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的(a) XRD,(b) 紫外漫反射吸收光谱,(c) 拉曼光谱,(d) 红外光谱。
图5.(a) CdS和(b) InVO4的Kubelka-Munk图,CdS和InVO4的(c) 紫外光电子能谱图和(d)能带结构。
图6.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的XPS光谱:(a) Cd 3d,(b) S 2p,(c) In 3d,(d) V 2p3/2。
图7.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结的(a) 光致发光,(b) 时间分辨光致发光,(c) 电化学阻抗,(d) 瞬态光电流图谱。
图8. CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结(a) 光催化降解乙烯性能图,(b) 反应动力学图,(c) 20-CSIVO降解乙烯的循环测试图。
图9.CdS、InVO4和CdS-InVO4异质结捕获自由基谱图EPR信号(a) ∙O2–,(b) ∙OH。
发展历程
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