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我国有着上千年的重刑主义法律思想传承，社会大众在情感认知上普遍对轻缓刑事政策持否定或排斥态度，轻缓刑事政策的司法适用问题对我国社会法治发展有着重大的理论价值和现实意义。在轻缓刑事政策的适用研究中，本文着重解决了三个方面的问题：我国为什么要实施轻缓刑事政策？我国是否具备实施轻缓刑事政策的可行性基础？我国司法适用中如何践行轻缓刑事政策。基于以上思考逻辑，本文进行了以下几个方面的创新。
首先，明确提出了轻缓刑事政策的概念。“轻缓刑事政策”一词在很多学术论文或专著中均有提及，但目前来说，我国学术界并未赋予“轻缓刑事政策”明确的概念以及其内涵外延。本文明确提出了我国“轻缓刑事政策”的概念，以期学界重视对“轻缓刑事政策”的学术研究，以学术研究影响、帮助实务界正视刑事政策偏严的问题，从而建立我国的轻缓刑事政策的适用体系。
其次，明确提出“轻缓化”是我国“宽严相济”刑事政策的薄弱点，应当强化轻缓刑事政策对司法实践的引领作用。我国对刑事犯罪打击过于严厉，释放“宽缓”的善意是我国刑事政策良性发展的不二选择。当然，本文主张的轻缓刑事政策，并不是彻底的轻刑化，而是符合罪刑法定原则、罪责刑相适应原则等刑法基本原则之下的谦抑和人道主义的轻缓化。
再次，较为全面地构建了我国轻缓刑事政策适用的理论基础。本文从我国实施轻缓刑事政策的必要性和可行性两个层次九个方面构建了其理论框架。必要性的五个方面考量：实施轻缓刑事政策是社会主义市场经济发展的必然选择、是实现民主政治和政治文明的应然需求、是保障人权的应有之意、是我国犯罪形势发生结构性转变的需求、是我国与刑罚轻缓化世界趋势相对接的要求；可行性的四个基础：社会治理现代化理论为轻缓刑事政策的适用提供了政策条件，犯罪学、刑罚根据论、刑法谦抑和人道主义理论为轻缓刑事政策的适用提供了理论支撑，我国近年来形成的轻缓化基本格局为轻缓刑事政策的适用提供了现实基础，域外轻缓化的成熟经验为我国轻缓刑事政策的适用提供了参考范本。
最后，提出了多层面较为系统的我国轻缓刑事政策适用的实现路径和框架。本文的研究范围既涵盖轻罪也涵盖重罪，既包括了实体法上的非犯罪化、轻刑化、非刑罚化，也包括了程序法上的非监禁化，从全面适用轻缓刑事政策的高度着眼，提出了立法轻刑化、司法宽容化、刑罚执行宽松化三个层面立体多维的我国轻缓刑事政策司法适用框架。
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1、谢佑平，柴婧峰. 扩大我国非监禁刑适用的理论基础及路径.东南法学，2023，（12）：147-162；
2、柴婧峰.司法政策的制定.制度与机理:司法现象研究,北京:法律出版社,2023,164-179.
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二维过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides，TMDCs)具有可调的本征能隙、多样化的晶体结构以及自由的堆叠选择等特征迅速成为了光电子学、自旋电子学以及莫尔电子学等领域的新宠。由于二维TMDCs只有几个原子层的厚度，其晶体的原子排列、应变分布、晶格堆叠等都会对其整体性能产生深远影响。因此，在原子层级上对二维TMDCs的微观结构特征以及电子能带特征进行探索是非常重要的，这有利于推动其在实际应用中的发展。基于此，本文利用扫描隧道显微镜(Scanning tunneling microscope，STM)这一超高能量与超高空间分辨的工具，聚焦于二维TMDCs的微观特性研究。一方面，我们从二维TMDCs的分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)制备出发，深入研究了二维TMDCs的微观生长机制，并探索其具有的新奇物理特性。另一方面，我们从二维TMDCs的设计出发，通过构筑二维TMDCs莫尔超晶格结构，深入探索了其原子结构特征及其导致的相关电子能带调制。这些工作在纳米尺度揭示了二维TMDCs的特性，为其在未来的应用奠定了重要基础，具体如下：
(1) 揭示了MBE生长的二碲化钼(MoTe2)的微观生长机理。我们分别在Au (111)以及石墨化的碳化硅(Gr/SiC)衬底上，通过控制衬底温度、生长时间以及Mo原子与Te原子源流比，可控地制备了一系列单层MoTe2样品。通过超高分辨的STM图像，我们在原子尺度系统地研究了单层MoTe2样品的微观形貌与晶体结构，揭示了单层MoTe2的微观生长机制。我们发现，在Gr/SiC衬底上，Mo成核位点优先沉积，形成亚纳米团簇，这些团簇对MoTe2的进一步外延生长具有阻碍作用，导致生长的单层MoTe2单晶纳米岛的径长只有10 nm左右。相反地，在Au (111)衬底上，我们发现首先形成的是有序的Te原子结构，它具有调控和促进单层MoTe2单晶进一步外延生长的作用，使得外延生长的单层MoTe2单晶尺寸比在Gr/SiC衬底上外延生长的大近两个数量级。我们这一研究成果为MBE生长大尺寸、高质量的MoTe2提供了一种新的思路。
(2) 发现了单层1T'相的MoTe2 (1T'-MoTe2)单晶边界具有一维的局域拓扑边界态。通过MBE法，我们在Gr/SiC衬底上制备了原子级平整且边界清晰的单层1T'-MoTe2。扫描隧道谱(Scanning tunneling spectroscopy, STS)表明，单层1T'-MoTe2边缘存在着导通的边界态，表现出导体的性质。相反地，单层1T'-MoTe2内部区域则表现出半导体特性，并且打开了约为60 meV的能隙，具有拓扑绝缘体的特征。进一步地，通过STS成像，我们证实了边界态沿着单层1T'-MoTe2边缘分布，展宽为2 nm左右，并且对其尺寸、形状以及边缘粗糙程度不敏感。另外，在Au (111)上MBE生长的单层1T'-MoTe2的边界处我们也观察到了类似的边界态现象，但其内部没有打开能隙，具有拓扑半金属态的特征。进一步地，我们发现衬底以及生长温度对1T'-MoTe2晶格的拉伸或者压缩是调控其拓扑能隙的主要因素。我们这一发现为1T'-MoTe2具有拓扑非平凡性质提供了实验证据。
(3) 调控了二硒化钨/二硫化钨(WSe2/WS2)莫尔超晶格的面外重构。利用高温退火和快速低温冷却相结合的方法，我们在机械剥离的具有本征面外重构的WSe2/WS2莫尔异质结构中引入了一系列外在应变，得到了不同的面外重构。结合STM/STS和基于深度机器学习的第一性原理，我们在原子尺度研究了不同面外重构及其产生的电子结构。STM成像和理论模拟表明，高对称堆叠区域的层内应变对外在应变的差异化响应调控了面外重构的面外屈曲，并且这种调控效应在AA堆叠区域表现的更为显著。STS谱表明，AA堆叠区域价带边缘附近的Γ点(Γv)主要受到调制。因此，Γv点附近局部态密度(local density of states, LDOS)的最大变化可以超过300%，并且价带的莫尔势在30至200 meV的范围内可调。我们进一步表明，这些莫尔电子态是莫尔超晶格面外屈曲的正相关单调函数，它们主要受层间耦合调控，而不是层内应变。随后，STS成像验证了面外重构明显影响AA堆叠区域价带边缘附近LDOS的实空间分布。我们的研究结果揭示了面外重构莫尔超晶格的调制机制，并为控制TMDCs中的莫尔现象提供了新的途径。
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[1]Haipeng Zhao, Yin Liu, Shengguo Yang, Chenfang Lin, Mingxing Chen, Kai Braun, Xinyi Luo, Siyu Li, Anlian Pan and Xiao Wang, Microscopic growth mechanism and edge states of monolayer 1T'-MoTe2. Chinese Phys. B 2024, 33, 046801.
[2]Haipeng Zhao, Shengguo Yang, Cuihuan Ge, Danliang Zhang, Lanyu Huang, Mingxing Chen, Anlian Pan, and Xiao Wang, Tunable out-of-plane atomic reconstructed moiré superlattices in transition metal dichalcogenide heterobilayers. ACS Nano 2024 18, 27479-27486.
[3]Haipeng Zhao, Danliang Zhang, Shengguo Yang, Mingxing Chen, Anlian Pan, and Xiao Wang, Observation of strain-modulated topological insulator and semimetal states in monolayer 1T'-MoTe2 (In preparation).
[4]Cuihuan Ge, Danliang Zhang, Feiping Xiao, Haipeng Zhao, Mai He, Lanyu Huang, Shijin Hou, Qingjun Tong, Xiao Wang, Anlian Pan, Observation and Modulation of High-Temperature Moiré-Locale Excitons in van der Waals Heterobilayers. ACS Nano 2023, 17, 16, 16115-16122.
[5]Danliang Zhang, Cuihuang Ge, Youwen Wang, Yang Xia, Haipeng Zhao, Chengdong Yao, Ying Chen, Chao Ma, Qingjun Tong, Xiao Wang, Anlian Pan, Enhancing layer-engineered interlayer exciton emission and valley polarization in van der Waals heterostructures via strain. ACS Nano 2024, 18, 27, 17672-17680.
专利
[1]王笑，赵海鹏，潘安练。一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法。申请号：202310576616.2中国（导师第一)。
来源 | 湖南大学研究生院
