射频问答群问答汇总·第38期【2024.02.01】

文摘   科技   2024-02-01 07:30   上海  

上期精彩问答投票结果公示

低噪放自激问题的讨论

 

投票占比40%

本期纪念品:慧智微笔记本


欢迎对本期的精彩回答投票,我们将对最精彩的回答送上小小的礼物。以表示对作者无私技术奉献的感谢。

 

本文中回答均由各位射频从业者们自发讨论回复,回答之中不免有错误疏漏,也欢迎大家批评指正。


01

Transceiver就是Modem吗?


Q:家人们,Transceiver 就是Modem吗?




哪个说的对?


A:都对 上面的收发器可能指代BB+RF ,下面有说明是RF收发。


Q:意思就是上面说的是集成到一块IC。下面的是分开的,对不?


A:是的,这三者分开,或者前两组合,或者后两组合,甚至三者合一都有。蜂窝终端和Wi-Fi都有出现过。


A:Modem指通信模块,BB和Transceiver都是通信侧的,也叫CP。AP是应用侧,完全不一样的东西。

比如苹果手机,CP用的高通,AP用的苹果自己的A系列芯片。


Q:学到了,谢谢。


02

pHEMT器件DrainSource接反了为什么仿真性能更好?


Q:问一下大家,再做MMIC得时候,突然发现管子VG VD 给反了,按理说管子应该截至,却低噪声高增益,但不能用,这是为什么?


A:什么工艺?


Q:.15 pHEM


 

给错了,增益好得不得了,自偏置。


A:其实应该是不区分Drain和Source的吧,因为从器件结构来看是对称。


这是个什么器件?


Q:这是源漏没颠倒。


A:给个仿真结果看看。


Q:是电感。

这是颠倒过的,你看管子本应该截至,噪声好了很多,增益电流都正常,但是我记得开会老师讲过不可以用。



A:个人感觉, 这种接法仿真下已经失准了,实际这么使用的话,电路可能无法在正常工作。


Q:有道理,就这样理解。


A:Source,Drain完全对称,电流方向由电势差确定,当然模型准不准就不知道了。



A:“个人感觉,这种接法仿真下已经失准了,实际这么使用的话,电路可能无法在正常工作”   而且现在只看了nf2 和 增益 可以继续仿真其他指标  可能就会不正常了。


A:感觉是模型问题,这Vgs都是负压了,管子怎么可能开启。


跑个I-V曲线 大概就知道是不是管子模型问题了。


Q:Vgs就是负压开启的,耗尽型管子,自偏值给的负电。



跑了一下,感觉应该是模型问题,连NFmin都没有。


03

直接读取Y参数和S参数转出的Y参数有什么区别?


Q:想问一下各位大佬,仿真Y参数时候直接读取Y和读取S to Y的虚部有什么区别呢?



A:Y参数是什么?


Q:导纳。


A:Y11默认其他端口接地,S11默认其他端口接50欧姆,你如果是单端口应该仿出来是一样的。


Q:如果做容感值提参,2端口应该接地还是50欧姆呢?


A:你直接用Y11,2端口随便接。


Q:怎么理解提参时候二端口应该短路还是50欧姆呢?


A:这个是定义,如果你代入的是二端口,想看的是其中一个口短路时的输入阻抗,直接用Y参数,不要用S参数或STOY就对了。或者你就代入一端口,零一端口直接接地,看ZIN。



Q:明白了,非常感谢。


04

耦合微带线矩阵S参数矩阵如何降阶?


Q:请教一下,这种耦合微带线矩阵 端口接地或者开路情况下  S参数矩阵如何降阶,或者有相关的资料参考吗  麻烦告知一下,谢谢。


A:这个3个方程, 3个未知数。 现在多一个边界条件,简化成2个方程。该是很直接的。写下来看看,该是很容易的。


Q:哦哦了解了  请问这里为什么说短路是S参数是-1 开路是0?


A:短路:load impedance ZL = 0, S11 = (Zl-Z0)/(Zl+Z0) = -1;开路:load impedance ZL = infi;S11 = (Zl-Z0)/(Zl+Z0) = 1;无论开路还是短路,能量都是被反射的,只是相位不一样,所以一个是 +1, 一个 -1 。

你贴的图里有问题,S33 = 0, 是匹配情况。


Q:哦哦,我说呢,我还以为是什么特殊情况呢,感谢答疑🙏


05

为什么PA实测输入P1dB减少,增益升高?


Q:请问下我的PA实测比我仿真的输入1dB压缩点小了10dB,增益高了10dB,是怎么回事啊?线性度变差了很多,仿真的时候也没有看出来。


A:几级的PA?增益多少?


Q:3,仿真19,测出来30


A:感觉自激了。

A:功率也掉了10dB?


Q:自激S参数就看不到了吧?


我这S22基本一直,S11差了很多,输出功率差不多。


A:同意自激,频谱仪看看吧。


Q:有功能还会自激吗?


A:先得排除测试的问题。


Q:输出功率也能满足要求。



A:感觉是级间互相牵引,导致自激。


A:功率是不是也矢网测的?


Q:嗯。自激的话S11应该大于0啊?


A:换套系统试试,功率计或者频谱仪看看,增益也能验证一下。确认测试没问题再分析别的原因。


Q:现在测不了了是别人的设备。


A:有可能带外自激你看不到啊。


Q:低频吗


A:嗯。


A:级联自激,S11不一定大于0的,第二级管子自激,单级增益可以异常高。


Q:但是还是有正常功能,但是频谱仪上可以看到峰?


A:看全频带,可能会某个地方有spur。


A:先排除测试问题,再排除自激,然后才算疑难杂症。


Q:自激的师兄和我说测试的时候没看到自激现象。可能也不是。


A:电流正常吗?这么高频率,也有可能是因为器件栅条特别细,短沟道效应明显


Q:哦对,电流大了20mA,这也是一个原因。


A:也有可能供电没给对,用万用表测下片子上的实际栅压,漏压有没有给对。


【注:此问题讨论并未收敛,欢迎加入慧智微射频讨论群,继续参与此问题的讨论】


06

虚部特别大的话该怎么做输入匹配?


Q:大家好,请问虚部特别大的话,该怎么做输入匹配呢?频率是8-13G的带宽范围。




A:mutual这个是干嘛用的呀?


A:大家好,请问虚部特别大的话,该怎么做输入匹配呢?频率是8-13G的带宽范围。”  建议你的负载port不要用Z参数做,你可以试着把负载变成电容并电阻(具体做法是得到负载等效阻抗的方法采用Y参数,实部是1/realy ,虚部是imag y/2pi/freq)


Q:恩恩,我这个阻抗的话是用源牵引得到的,主要是匹配电路好像必须用变压器所以感觉好像有点难匹到。


A:mutual这个是干嘛用的呀?变压器宽带匹配,多了个谐振峰把带宽拉宽。


A:噢噢 好的 谢谢 。


Q:顺便问一下,为什么我大信号的S11只有-1.8dB,但是功率还有效率却还行,这是什么原因?


A:这是因为这两者没有关系。


Q:能具体解释下吗,小白不懂。


A:功率仿真没考虑信号反射什么的(我的理解)。


A:我的理解是牵引得到的阻抗是在大功率下的 ,驻波好的阻抗点不重叠。


A:大概率是选择的阻抗点主要偏向功率效率了,没考虑好跟驻波的折中。


Q:需要调整匹配将驻波调好吗?


A:大概率是选择的阻抗点主要偏向功率效率了,没考虑好跟驻波的折中。”  可是他说的是输入匹配的问题 你这个角度更像解释S22。

 你是输入做牵引了吗?


Q:做了。


A:那没事了 确实找的就是功率最优的。


Q:一般在设计的时候需要将驻波考虑进去吗?


A:看你需要的设计指标。


A:那肯定啊,功放驻波不用太好,但是也别太差了,你可以找几个具体的产品看看呗。


Q:了解啦,谢谢各位大佬的解答。


07

脉冲功放储能电容一般计算容量多少?


Q:脉冲功放  储能电容一般计算容量多少 影响顶降多少?这都是说放电。
那充电一般需要怎么考虑?


A:这个要看脉冲的脉宽和占空比,比较好算,利用电容和电荷的关系即可,电荷/时间是电流,然后利用电容和电荷的关系来计算电压降低就行。冲电就是反过来就行。


首先要知道电源能给电容充的电荷是多少,然后计算出峰值功率需要的电荷是多少,这两个差值就是电容不能提供的电荷,然后就可以计算出来电容实际能提供的电压是多少,然后就可以算出来脉内降顶多少。


Q:应该是放电快,充电慢吧?用示波器量电压波形还是测试电流好?观察这个。


A:我个人理解充电和放电的时间跟负载又关系,充电的时候电容相当于电源的负载,所以充电回路的R有关系,而放电时电容相当与电源,这个时候负载是PA,所以就看两个回路的R谁大,因为电容是不变的,充放电时间是RC。


A:赶紧学习。


A:上面的计算是没有考虑充电回路中的R,所以只是粗略计算。电容最终展现的形态是电压,测电压更方便一些


Q:多谢!

以上就是本期全部问答内容了,这期中的问答哪个是您心目中最精彩的呢?欢迎投票,我们将对精彩问答送上纪念品一份:



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