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同频段噪声叠加到底噪-174dBm的最大允许值怎么算？
Q：接收机，输入底噪按-174考虑，我的问题是，另外一个同频段噪声需要多小才能叠加并不超过-174。两个噪声相加怎么计算？
A：-174应该是统计值吧？
A：把dBm换成十进制数相加，再求log就可以了。
噪声功率是统计值，噪声电压是随机值，所以可以这样算
Q：我的问题就是干扰噪声要多小叠加原来的-174 才不超过-174。
A：就用那个公式算。
A：-174是白噪声的极限值，只和温度有关系，温度定了就是这个噪声了，其他的噪声往上叠。个人理解，其他叠上去肯定要超-174。
Q：为了不影响接收灵敏度，就需要叠加不能超太多，最好不超。
A：不超肯定是不可能，实际-174肯定都达不到，那个是绝对0度算出来的值。
A：-174是热噪声 其它是在基础上往上叠加 。
Q：小16dB叠加会恶化0.1dB。
A：是会恶化，对接收来说就是噪声系数恶化0.1。实际系统里，接收端的NF一般有余量，NF余量越多，对双工器带外要求抑制就可以越低。
如何量化射频开关设计中的开关速度指标？
Q：大佬们，射频开关在设计中如何考虑开关速度指标呢，例如开关速度30ns，这个指标该如何考虑呢？或者是如何分解到实际设计中呢？
A：主要受二极管的寄生电容吧？
Q：用晶体管来做，如何参数化对应到设计的器件上呢？还是靠工程经验？比如30ns的速度，我晶体管的尺寸、偏置等该如何参数化设计呢？
A：仿真瞬态看看，速度不够就加尺寸，提高瞬态电流驱动能力。
Q：也就是说这个指标不能在前期预算，是在设计过程中调试出来的？
A：也可以啊，按照RC充电回路估算一下。
Q：是计算Ron与Coff？
A：嗯嗯，Ron和负载那边寄生电容都算上。
Q：谢谢。
给PA输入调制信号，用ccdf采到的峰值功率和Psat是一个概念吗？
Q：各位专家，请教一下，给PA输入调制信号，用ccdf采到的峰值功率和Psat是一个概念吗？
A：CCDF是互补累积分布函数的简称，它被定义为多载波传输系统中峰均值超过某一门限值的概率，Psat是饱和功率，不是一个概念。
Q：感谢，刚刚测了一下，大功率输出下ccdf显示的peak power会高于单音测得的psat。
有关电路噪声大的原因及减小噪声的方法探讨
Q：有大佬知道我这电路为啥有这么大的噪声吗？
A：这里串一个大电阻试一下。
Q：什么原理呢。
A：防止输入信号泄漏到偏置电路，也防止偏置电路噪声进入电路。
Q：okok 谢谢大佬。
A：这个是啥管子？HBT的吗？还是什么？
Q：global foundry 45nm的管子，我以前也没用过。
A：因为弄HBT也会用电流镜，问一下。
Q：是SOI吗？
A：不像，sub 都没引出来。
A：gf sige不错的，应该是。
Q：像这种十几fF的电容准度怎么样，感觉太小了工艺会飘。
A：mom 电容
Q：哦哦。
A：做高频的， 10 多 f 很正常。
A：“像这种十几fF的电容准度怎么样，感觉太小了工艺会飘。”可以试试mos电容 可以做到很小。要么就是自己画金属板当做电容。
功放中AMAM指标一般怎么优化？
Q：各位大哥，功放中AMAM指标一般怎么优化啊？
A：一般匹配，偏置点，扼流电感。
A：如果是第一次设计的PA结构版本，这个偏置点是否会流焊盘到外面监测？留焊盘。
A：虽然本人不是做功放相关的，这类笼统的问题AI应该可以提供一些建议。
A：如果是为了调性能，留一个比较好。
Q：Ok，谢谢啦。
射频电路中滤波电容位置对性能的影响
Q：想请教一下，只片内做滤波电容和只片外做滤波电容的话，25G以内的射频电路，性能影响大吗？
A：大，片内电源线肯定需要很多去偶电容，不然全是寄生电感了。
Q：好像是这么个道理。它这个电容，是提供一个交流地的通路？还是与电感共同构成滤波网络？
A：我的理解是两者兼有，有些工艺会是一个小电阻串联一个电容。
Q：好吧。可能寄生阻值较大的工艺？但对于VCO或者PA这一类的，似乎都是大信号，它这个交流地重要性，是否还像LNA这一类电路这么明显和重要？
A：重要啊，高频的 PA 更敏感了，交流地不好很容易振荡。
Q：好吧。“交流地不好很容易振荡” 这个应该是稳定性不好，K或者bf设计的时候，不好？自激了。
“有些工艺会是一个小电阻串联一个电容” 如果这个连接电源的线是用厚金属层、顶层铝连的话，寄生电阻应该已经是很小了吧？
A：“交流地不好很容易振荡 ” kf。
“有些工艺会是一个小电阻串联一个电容” 会小一些，但是也是会有，特别是芯片大的时候，所以片内电源线上还是很多电容的。
Q：好。谢谢！
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